白癜风介绍 https://jbk.39.net/yiyuanzaixian/bjzkbdfyy/bdf/近日，韩国媒体报道：三星计划购买至少10台EUV光刻机，旨在扩大4nm逻辑芯片和存储芯片的产能。
年，芯片市场跌宕起伏，从“一芯难求”到“产能过剩”，芯片企业从香饽饽到无人理，可谓是令人眼花缭乱。
那么问题来了，三星逆势而行到底是为了什么？真的只是针对台积电吗？
三星芯片有多强
韩国的面积仅有我国浙江省大小，人口也仅有多万，GDP总量为1.8万亿美元。但是却出现了三星这样的巨无霸，这绝对是个奇葩。
三星一年的营收达到了韩国GDP的20%，所涉及的行业诸多。韩国民众笑称：韩国人一生离不开三件事，死亡、纳税和三星。
其实，三星不仅大而且技术很强。
三星是全球最大的芯片公司之一，存储芯片世界第一。
年，全球半导体营收总计达到亿美元，比年增长了26.3%。
其中三星以.9亿美元的营收，12.3%的市场占有率，超越了英特尔（12.2%），成为全球最大的半导体公司。
三星能取得如此优秀的成绩，主要依靠芯片制造和存储器芯片巨大的优势。
芯片制造二强
台积电和三星是全球唯二的先进芯片制造企业，如果你想制造7nm、5nm、4nm、3nm芯片，只能选择台积电或三星。
在先进制程方面，台积电一直压着三星一头，对此，三星十分恼怒。为此，三星也定下了目标：年超越台积电，成为芯片代工龙头。
但事实上，三星芯片制造份额为16.3%，与台积电的53%差距甚大。那么如何能够实现年的目标呢，就是加大投资。
年，三星在半导体设备上投入了43万亿韩元（约亿人民币），是半导体投资最大的企业，主要投向EUV光刻机、尖端工艺等领域。
台积电年半导体投资额亿人民币，排在第二位。
第三位是英特尔。
未来五年，三星将在芯片、生物科技领域投资2.37万亿元，同时增聘8万名员工。大有追赶超越的气势。
为了超越台积电，三星还在3nm工艺方面选择了难度很大GAA技术。
GAA的翻译成中文就是全环栅晶体管，可以进一步增强栅极控制能力，克服FinFET技术的物理缩放比例和性能限制。这种技术被称为延续“摩尔定律”的技术。
GAA技术拥有更加优秀的静电特性，同等尺寸下沟道控制能力更强，因此沟道可以做的更窄，工艺制程可以更精密。
而传统FinFET沟道仅三面被栅极包围，未被包围的那一面更加容易失去电子，从而降低沟道控制能力。
总的来说：GAA技术比FinFET技术更加优秀，造出的芯片不仅性能更强，还能降低15%—20%的功耗。
当然三星在这项技术方面还在探索、研发阶段。
台积电3nm采用了FinFET晶体管技术，也就是鳍式场效应晶体管，不仅成本更低，而且技术更加成熟。
对此台积电称：第一代3nm工艺较5nm性能提升15-20%，功耗降低30-35%，晶体管密度提高1.3倍。同时做了技术创新，使功耗和速度更加平衡。
台积电还表示：“三星的3nm比台积电的4nm还有些差距”。这简直是不给三星面子。
事实上台积电说的并没有错，三星的3nm工艺良品率太低了，仅为30%。4nm、5nm工艺良品率也低于台积电，漏电率高于台积电。
否则高通骁龙也不会被调侃为“火龙”，8Gen2也不会让台积电代工。
但是不管怎样，三星的信心十足、勇气可嘉。
存储芯片第一
三星在存储芯片领域拥有绝对的话语权，是妥妥的龙头老大。
目前，三星电子、SK海力士、美光占据了90%以上的存储芯片份额，其中，三星以42%的市场份额位居榜首，SK海力士占据28%市场份额，美光占据25%市场份额。
三星在DRAM市场份额为42.7%，NAND市场份额为34%，手机存储芯片市场份额为49%。
根据公开数据，全球存储器行业市场规模超过了亿美金，其中NANDFlash亿美元左右，DRAM亿美元。
未来，随着数据中心、AI、云计算等对存储器需求的增长，存储器行业仍将保持快速增长。
除了市场份额外，三星在存储技术上也十分强大。
据悉，三星今年推出了第八代V-NAND产品，以及第五代DRAM产品。
第八代产品为层3DNAND闪存芯片，存储密度达到了1Tb，是最高存储密度的产品。
与现有相同容量的闪存芯片相比，这款芯片可以提高20%的单晶生产率，从而进一步降低成本，未来大家有望买到更便宜的固态硬盘。
传输速度也提升了1.2倍，达到了2.4Gbps，可以满足PCIe4.0、5.0的性能要求，可使固态硬盘传输速度轻松超过12GB/S。
第五代DRAM采用了10nm工艺技术，年进入量产阶段，届时搭配32GbDDR5解决方案。
三星还表示，未来继续在DRAM研发上投入更多资源，研发新的架构和材料，V-NAND技术上将在年实现层。
可见，三星已经形成“高市占率→高营业额→研发投入大→技术领先→抢占市场”的良性循环。
但即便如此，仍然满足不了三星的野心，三星要超越台积电，成为真正的芯片第一。
10台EUV光刻机意味着什么？
我们知道，7nm以下制程的芯片必须要使用EUV光刻机。现实是，EUV光刻机只有荷兰ASML能够制造，仅此一家，再无分店。
ASML一年的EUV光刻机产能十分有限，大概40台左右，这40台的产能台积电拿走了一半，剩余的被三星、英特尔瓜分。
看到这，你大概能想到为什么台积电、三星、英特尔能够打造先进制造工艺了吧！因为其他公司没有EUV光刻机。
此时，三星宣布至少购买10台EUV光刻机，一方面是扩大自己的先进产能，另一方面必然是剑指台积电。
1台EUV光刻机售价12亿人民币，10台意味着亿的支出，加上厂房、原材料等，无疑是一笔庞大的开支。
但三星认为，这笔开支是值得的。
因为根据ASML的数据，一台EUV光刻机，一小时可以处理片12寸晶圆，如果24小时作业，一天可以处理片晶圆。
一块12寸晶圆，表面积约为平方毫米，而苹果A16的表面积为平方毫米，根据ASML的公式，再减去边角料，可以制造出片苹果A16。
如果24小时开足马力的话，每天可以生产万片，一年可以生产4.3亿片。
当然实际上EUV光刻机的效率远达不到如此效果，并且良品率也不会达到%，但即便是拥有30%的效率，也不可小觑啊！
那么10台EUV光刻机呢？开足马力的话，产能将会急速的扩大。
除了产能扩大外，此时投资芯片产业，价格也会更低，毕竟现在芯片处于低谷期，无论是设备、产品、还是材料等，价格都相对低一些。
那么台积电呢？会任由三星逆袭吗？当然不会！
台积电紧急布局先进产能
作为芯片代工的龙头，台积电自然也不会闲着。
12月6日，台积电在亚利桑那州的新工厂举办了隆重的“移机典礼”。
亚利桑那州的工厂总投资高达亿美元，并计划在年量产3nm芯片。台积电此举着实伤了一部分台湾民众的心，但它也没有办法啊！
一是、漂亮国要回归制造业，台积电首当其冲；二是、想要留住大客户苹果，总要付出点代价。
好在，这家工厂投产后，苹果、特斯拉、英伟达、美光等公司纷纷表示将产能转移至工厂中。
要知道仅苹果公司就贡献了台积电1/4的业绩，先进产能占比更是超过一半以上。
芯片慌时，台积电直接将代工费上调了10%—20%，但苹果仅上浮了3%左右，为什么？因为台积电已经离不开苹果公司了。
如果苹果将产能转移至三星旗下，那将对台积电造成巨大的打击，甚至直接改变芯片代工市场的格局。
因此，亚利桑那州的工厂，台积电不得不建。
12月29日，台积电官宣量产3nm芯片，同时建造新的研发基地，积极研发2nm技术。
台积电的3nm姗姗来迟，在时间节点上输给了三星，但刘德音表示：台积电的3nm比三星要靠谱。
早在年，台积电就着手研发3nm芯片技术，但直到年底才成功量产，工艺进度比预期慢了很多。
一方面是量产难度的问题，另一方面则是成本问题。
3nm工艺成本有多高呢？据悉3nm的EUV光罩层数高达26层，仅3nm工艺12英寸晶圆的报价就达到了3万美元，相比5nm的美元上涨77%，比7nm的美元翻了三倍。
7nm芯片单颗价格美元，5nm达到了美元，3nm呢？将达到—美元。
而制造出来的手机价格则更贵，恐怕只有苹果的iPhone能承受的起。
苹果公司对工艺要求是极高的，从富士康连夜加班生产iPhone，每天元挽留熟练工人，就能感觉到苹果带来的压力。
因此，当台积电拿着3nmN3工艺拿给苹果公司检验时，苹果直接拒绝了台积电：性能增长太低，我们要用下一代N3E。
这些原因，共同导致了台积电3nm工艺进展不及预期，那么台积电3nm工艺一定比三星要好吗？
根据以往的经验的确如此，但也有网友表示：之前的工艺三星和台积电都采用了FinFET工艺，台积电自然是有优势的，如今三星采用了GAA技术。
那么究竟谁更胜一筹呢？我们拭目以待吧！
写到最后
芯片发展前景不明，但三星决定扩产，不仅在先进产能上要追赶台积电，还要在存储芯片上甩开对手，三星的野心着实不小。
台积电面临着不小的挑战，面对挑战台积电似乎胸有成竹，但也有很多人开始看衰台积电了，台积电赴美就是衰落的开始。
反观国内芯片公司，中芯国际代表着最先进产能，但与三星相差4代。长江存储是最先进的存储芯片公司，与三星市场份额相差几十倍。
在“禁令”中的中国芯片，未来该如何发展呢？
我是科技铭程，欢迎共同讨论！
