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梦幻内存现身半导体展工研院领先三星 [复制链接]

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台湾经济部技术处在SEMICONTaiwan展出33项创新技术,最吸睛的莫过于完成世界最快、被称为“梦幻内存”的SOT-MRAM数组芯片,完成0.4奈秒高速写入、7兆次读写之高耐受度,性能领先韩国大厂20%。

第三代SOT-MRAM数组芯片具有省电、读写快、尺寸做很小,属于“非挥发性内存技术”,断电时存储的资料不会消失。至于市面上DRAM是动态随机访问内存,当电流关掉后,存储的资料会全部消失,因此平时使用计算机时,必须用ROM(只读内存),将计算机资料、文件永久存储。

MRAM利用具高敏感度的磁电阻材料制造的内存,因读写速度快且可改写,未来适合车用市场、AI、高性能计算芯片甚至是量子计算机领域。此外,工研院自年开始研发,目前已完成第二代STT-MRAM以及第三代SOT-MRAM技术,打造台湾唯一磁性内存验证试量产平台与生态系统,也获美国国防部出资合作开发下一代磁性内存技术,未来可以集成成先进制程嵌入式内存。

(Source:工研院)

此外,工研院研发的“充电桩与车载充电器用碳化硅功率模块”,采用碳化硅功率半导体组件(SiCMOSFET)取代传统硅基功率半导体组件(SiIGBT)。该模块以优化设计与新封装制程导入,投入快速充电应用1,V碳化硅功率模块开发,可实现高电压低电流的V快充,比V系统减少一半的充电时间,同时使热阻值较国际大厂产品改善达20%以上,并简化系统散热设计,降低制造成本。

此外,工研院开发以X光为基础,穿透多层环绕闸极(Gate-all-around;GAA)结构,以原子级分辨率监控关键尺寸,满足测量前段制程纳米尺寸三维复杂结构需求,可测量纳米尺寸的三维复杂结构,协助企业进行2纳米的制程测量,测量时间缩短60%,为全世界速度最快的2纳米测量机台,将于近期衍生创业公司NanoSeeX,业界反应热烈,募集资金将增至新台币三亿元。

(Source:工研院)

同时,也展出全球首创可以3DLive直播互动的“即时裸视3D服务系统”、可以真人3DLive直播互动,并直接用AI去背,让图片即时变成3D,再与虚拟背景即时融合成像,整体运算约1秒完成,无需穿戴任何穿戴式设备即可看见3D图片,适合作为现场演唱会、广告看板和远程投影会议等用途。经济部技术处指出,目前已经跟许多企业合作,未来将与智能移动、展演合作展现。

(Source:科技新报)

最后是氮化镓射频高电子迁移率晶体管,具高频率、低功耗、高功率的特点,特别适用于射频(RF)领域,如5G射频设备、*用雷达、激光雷达Lidar等。工研院构建8英寸大面积氮化镓射频组件技术及平台,未来将以大尺寸芯片超高频组件制程,抢先布局下时代B5G/6G之庞大应用市场。

(首图来源:科技新报)

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