氮化铝陶瓷基板将成为VCSEL传感器核心关键垂直腔面发射激光器，全称是垂直腔面发射激光器，是在砷化镓半导体材料的基础上发展起来的。与其他光源如发光二极管和激光二极管（氮化铝陶瓷）不同，VCSEL具有体积小、输出光斑圆、单纵模输出、阈值电流小、价格低成本、易于集成到大面积阵列等优点。它广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。像最新的iphoneX一样，它的FaceID技术得到了VCSEL传感器的支持，这反过来又导致了VCSEL传感器的井喷。
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VCSEL传感器真的是划时代的产品。为什么使用垂直腔面发射激光器？在传统摄像机的基础上，将基于ToF或SL结构光的三维传感器技术引入到三维摄像机中。目前，这两种主流的3D传感器技术是主动传感。因此，与传统相机产业链相比，3D相机产业链主要增加了红外光源光学元件红外传感器等部分，其中最关键的部分是红外光源。主动传感3D相机技术通常使用红外光来检测目标。早期的三维传感系统一般采用发光二极管作为红外光源，但随着垂直腔面发射激光器技术的成熟，其性价比接近红外发光二极管。另外，在技术方面，由于发光二极管没有谐振腔，光束发散性更强，耦合性差。垂直腔面发射激光器在精度、小型化、低功耗和可靠性方面具有优势。现在普通的三维摄像系统一般都使用垂直腔面发射激光器作为红外光源，所以垂直腔面发射激光器是最近讨论的最新技术。
虽然发生了一场大火，但我国乃至全国的VCSEL制造商并不多。由于技术门槛高，到目前为止供应仍然短缺。技术门槛不仅在于VCSEL，还在于其核心部件：氮化铝陶瓷基板。氮化铝陶瓷基板的生产难度也是非常高的，导致国内VCSEL制造商的生产能力无法提高，这也是国内终端3D传感应用缓慢的原因。
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望辉陶瓷加工厂发光二极管氮化铝陶瓷基板在垂直腔面发射激光器中的应用前景非常广阔。目前，垂直腔面发射激光器芯片主要是垂直芯片，可以达到几百瓦。然而，芯片转化的效率非常低，这意味着在散热方面肯定存在一些问题，因此它面临热电分离的问题，而氮化铝陶瓷基板的诞生解决了热电分离的问题。此外，垂直腔面发射激光器的功率密度非常高，可达每平方厘米千瓦以上，因此只能在真空中封装，即制作三维结构，并将光学透镜保持在芯片上方。此外，VCSEL芯片与衬底热膨胀不匹配引起的热应力问题非常严重，望辉陶瓷加工厂的氮化铝陶瓷衬底正好可以解决匹配问题。我们坚信，望辉陶瓷加工厂氮化铝陶瓷基板将在未来的垂直腔面发射激光器中得到广泛应用。
