白癜风治疗方法 http://www.bdfyy999.com（报告出品方/作者：西部证券，贺茂飞）
一、国产刻蚀设备龙头，内生外延拓展奠定营收增长新动力
1.1国内刻蚀设备龙头，加速平台化布局
中微公司系国家“02专项”首批项目承担单位，是国内老牌刻蚀设备龙头。公司于年在上海张江科技园成立；年首台12英寸甚高频去耦合等离子体刻蚀设备PrimoD-RIE研发成功并交付客户，正式进入半导体前道装备领域；年入选国家科技重大专项（02专项）首批项目承担单位，获批承担国家《65~45nm介质刻蚀机研发与产业化》项目；年首台深硅刻蚀设备研发成功，切入先进封装领域；年公司投资睿励仪器，布局检测设备领域；年首台MOCVD设备PrimoD-Blue研发成功，成功拓展LED领域；年首台VOC设备的成功研发代表公司进入环保领域。公司多次承担介质刻蚀领域国家重大专项以及上海市重大科技项目，驱动公司创新能力显著提升，进一步拓宽国际化竞争视野，相关系列装备的研发和产业化加速落地。近年来，公司通过一系列外延方式逐渐拓展至薄膜沉积、泛半导体设备、环保、健康及生态互连等领域，加速平台化布局。
海归派高管具有丰富的半导体设备研发实力及行业从业经验。公司技术团队皆毕业于美国名校并拥有公司创始人及董事长尹志尧博士，毕业于加州大学洛杉矶分校，曾分别任职于英特尔、泛林半导体、应用材料等公司，专业从事半导体刻蚀装备研发，曾历任应用材料等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官等职位。核心技术人员杜志游博士、倪图强博士、麦仕义、杨伟、李天笑都拥有丰富的国外半导体公司如英特尔、索尼、应用材料及泛林半导体工作经历，从业经验丰富。
背靠上海市政府和国家大基金二期，公司无控股股东和实际控制人。公司前身为中微有限，由中微亚洲出资设立，为外商独资企业，年转为股份制有限公司，后经一系列股权变更后上海创投和巽鑫投资（大基金一期）分别位列第一大和第二大股东，分别持股21.42%和20.74%。年公司科创版上市，上市后前两大股东上海创投和巽鑫投资持股比例降为18.02%和17.45%。目前公司前五大股东分别为上海创投、巽鑫投资、嘉兴智微企业管理合伙企业(有限合伙)、中微亚洲、国家集成电路产业投资基金二期，持股比例合计占比43.76%，公司无控股股东和实际控制人。
公司主营业务包括三部分：专用设备、备品备件及设备维护（主要为配件销售及设备支持服务等）。公司以介质刻蚀设备起家，逐步拓展至金属刻蚀、硅刻蚀、薄膜沉积以及环保设备领域。公司产品包括CCP刻蚀设备、ICP刻蚀设备、TSV深硅刻蚀设备、MOCVD设备以及环保设备，可分别用于8/12英寸前道逻辑晶圆加工、先进存储及先进封装工艺、化合物和LED制造以及环境保护等领域，客户主要为台积电、中芯国际、华虹集团等逻辑晶圆厂商；三星、SK海力士、长江存储、长鑫存储等先进存储厂商；华天科技、长电科技、日月光、通富微电等封测厂商以及化合物、功率半导体等特色工艺厂商。公司的各类等离子体刻蚀设备和薄膜设备已有超过个反应腔在中国大陆、亚洲和欧洲等70多条集成电路和微器件生产线实现大规模量产。公司在介质刻蚀设备领域拥有近20年深厚技术积累，并积极向薄膜沉积、环保设备以及检测设备等领域拓展，进入更广阔的半导体及泛半导体设备市场。
刻蚀设备：中微拥有全系列刻蚀机，包括高能等离子体（CCP）、低能等离子体（ICP）、单台机（传统）、双台机（新机型），可以涵盖80%以上的刻蚀工艺。
CCP刻蚀设备：CCP刻蚀设备性能指标比肩国际一线厂商，国内晶圆产线设备市占率快速提升并成功打入国外头部晶圆厂先进制程产线。公司CCP等离子体刻蚀设备主要应用于8/12英寸逻辑晶圆前道工艺、3DNAND及DRAM等存储工艺中氧化硅、氮化硅及低介电系数膜层等所有的电介质材料刻蚀，工艺制程覆盖90nm~5nm逻辑工艺、层及以下3DNAND存储工艺。CCP等离子体刻蚀设备产品竞争优势明显，已成功进入国内外一线客户的逻辑和存储芯片制造生产线，包括先进的5nm芯片生产线和下一代的3nm试生产线，在部分关键客户市场占有率已进入前三位甚至前二位，CCP刻蚀设备市占率持续提升。
ICP刻蚀设备：ICP刻蚀设备快速崛起，应用领域逐渐丰富。公司ICP等离子体刻蚀设备主要应用于12英寸1Xnm及以下的逻辑和存储器件刻蚀、各种尺寸和深度的硅结构刻蚀以及逻辑和存储芯片的多种导体和介质薄膜刻蚀等领域。ICP刻蚀设备已通过诸多客户的工艺认证并获得重复订单，已经在超过15家客户的生产线上进行多个ICP刻蚀工艺的验证，合计付运腔室已超台。同时公司积极布局3D封装、5nm以下逻辑、1Xnm以下DRAM和3DNAND存储芯片等下一代制程工艺。
TSV深硅刻蚀：公司ICP深硅刻蚀设备主要应用于8英寸和12英寸CMOS图像传感器、2.5D、三维芯片和芯片切割等领域以及3D封装、2.5D封装和微机电系中的硅通孔刻蚀工艺，刻蚀孔径从低至1微米以下到几百微米、深度可达几百微米的孔洞，并具有优秀的工艺协调性，可根据客户的需求生产不同的刻蚀形状（例如垂直、圆锥形和锥形等），目前已成功进入日月光、长电先进、通富微电等国内外先进封装大厂。
薄膜沉积设备：MOCVD设备独占鳌头，MiniLED成为长期增长驱动力，CVD设备验证顺利，EPI（外延生长设备）设备取得积极进展。
MOCVD设备：LED及功率器件外延用MOCVD设备市场成熟，切入MiniLED/MicroLED及第三代半导体领域，未来MOCVD设备有望突破成长天花板。公司MOCVD设备主要应用于国内外主流LED生产线大批量LED/深紫外LED（主要为氮化镓基及砷化镓基）、功率器件外延片以及高质量氮化铝和高铝组分材料生长等工艺，凭借优异的产品性能，奠定了国内外MOCVD领域龙头地位，目前公司MOCVD设备在全球增量市场市中占比第一。公司瞄准MiniLED/MicroLED以及第三代半导体GaN/SiC市场，年6月成功推出MiniLED用MOCVD设备并获得客户批量重复订单超台，GaN功率器件用MOCVD已交付国内外领先客户验证，进一步巩固公司MOCVD设备市场领先地位。
CVD设备：钨填充CVD设备客户产线验证获得积极进展，设备性能已能够满足客户工艺验证的需求，产品正与关键客户对接验证。基于钨填充CVD设备，公司进一步布局CVD和ALD（原子层沉积）设备，以期实现更高深宽比和更小关键尺寸结构的填充，满足高端逻辑器件和先进存储芯片的需求。
EPI设备：公司EPI设备已进入Demo机装调阶段，可满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。
环保设备及其他领域：公司聚焦核心业务集成电路设备的同时积极探索布局环保、健康、生态互连等领域在内的新业绩增长点，成效显著。
VOC设备：公司在国内率先开发制造了工业用大型VOC净化设备，并与德国DAS环境专家有限公司签订战略合作协议，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，共同推动环保科技行业的发展。
工业互联：子公司中微汇链打造的去中心化分布式工业互联网平台We-Linkin，应用场景数量已超30个，可订阅微服务超个，高研发投入助力产品矩阵不断完善。
检测设备：公司增资睿励仪器，全面布局集成电路检测领域，进一步形成产业链协同。
公司积极布局产业链上下游，有效形成产业链协同。公司主要零部件如机械手传输系统、喷嘴ShowerHead、石英、陶瓷等物料此前主要采购自国外，近年来公司逐步参股上游产业链如志橙半导体、靖江先锋、新美光半导体等企业，以降低成本并确保零部件的稳定供应。同时公司通过入股下游半导体晶圆制造企业，以期形成产品的协同开发及验证，加速新产品产业化应用。
1.2受益技术突破及行业高景气驱动，公司营收和订单快速增长
年之前，公司设备处于市场开拓阶段，营收体量较小，年以来随着行业景气度提升叠加国产替代加速，设备出货和验收取得突破性进展，营收大幅增长。年之前，公司主营设备为CCP等离子体刻蚀设备和MOCVD设备，部分设备处于研发和市场验证阶段，整体营收规模较小。近年来随着公司技术突破，工艺指标逐渐满足先进制程工艺需求，公司陆续获得台积电、SK海力士等国际一线晶圆厂订单并成功进入7nm/5nm工艺生产线及3nm工艺试生产线，叠加行业高景气度及国内晶圆扩产高峰和国产替代需求，公司设备持续放量，陆续获得中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储等逻辑、存储晶圆厂的重复订单，凭借设备优异性能，产线市占率逐步提高。自年公司净利润由负转正之后，每年以翻倍速率增长。年公司全年实现营收31.08亿元，同比增长36.7%；归母净利润10.11亿元，同比大增.5%，一方面得益于行业高景气驱动，公司产能利用率满载，另一方面得益于公司产品线的丰富及产品结构优化。
公司主要设备销量波动较大，设备单价随高价值设备放量逐步走高。分产品看，公司刻蚀设备销量逐年走高，一方面系行业景气度提升，国内晶圆厂扩产加速，另一方面随着刻蚀设备制程工艺的延伸及产品多元化布局，客户及制程应用逐步多元化。公司MOCVD设备主要受产品类别、客户扩产节奏、行业周期及客户端验收节奏等影响，波动较大，随着MOCVD设备逐步从传统LED领域切入MiniLED领域，设备迎来量价齐升。
公司在手订单饱满，定增扩产落地，设备持续放量，展望后续，公司营收有望保持高速增长。
1）存货和合同负债高增，在手订单饱满。根据公司公告，年公司存货和合同负债均大幅增长，年公司存货和合同负债分别为10.6亿元、5.9亿元，截至年末，分别增至17.6亿元和13.7亿元，同比分别+66.0%/+.0%。全年新签订单金额同比增长90.5%达41.3亿元，创历史新高。公司在手订单饱满，保证业绩持续高增长。
2）定增落地保障产能：公司合同负债主要由客户预付款组成，新签订单、合同负债双双增长，表明公司在手订单饱满。根据公司公告，年产品付运腔体数由年的腔增长66.4%达腔，公司于年6月向特定对象发行股票，募集资金总额为82.06亿元，公司在江西省南昌、上海市临港分别建设14万平方米和18万平方米研发生产基地以及10万平方米总部大楼，积极提升产能，夯实未来发展基础。
3）刻蚀设备持续放量，市场持续扩大：①公司年共付运CCP刻蚀设备腔，同比增长40%。在先进逻辑电路方面，成功取得5nm及以下逻辑电路产线的重复订单。在存储电路方面，公司的刻蚀设备在64层及层3DNAND的生产线得到广泛应用。②公司年ICP刻蚀机付运超过腔，同比增长超过%。8/12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSVE、PrimoTSVE成功应用于先进系统封装、2.5D封装和微机电系统并且在3D封装领域验证进展顺利。③高性能MiniLED用MOCVD设备PrismoUniMax订单成功超腔并进一步拓展至MicroLED领域。
公司刻蚀设备毛利率稳定，MOCVD设备毛利率波动较大。公司半导体刻蚀设备毛利率长期稳定在44%左右，MOCVD设备毛利率波动较大。~年公司MOCVD设备营收占比较高，公司整体毛利率从38.59%降至34.93%。年受LED行业不景气影响，MOCVD设备毛利率达处于低位，受益于刻蚀设备营收占比提高，公司整体毛利率逐步提升至37.67%。年受行业高景气度及高端设备逐步放量影响，公司半导体设备量价齐升，公司毛利率逐步恢复至高位43.36%。
期间费用率逐步下降，盈利能力逐年增强。~年间公司期间费用率逐步下降，随后保持在14.0%左右。得益于期间费用率逐步降低和公司高毛利率设备占比逐步提升，公司净利率持续走高。与国内外同行业可比公司相比，近些年公司毛利率水平处于国际一线水平，前期毛利率较低，主要系低毛利的MOCVD设备营收占比较大。（报告来源：未来智库）
1.3高研发投入保证产品领先优势，自主核心技术持续加强
公司研发人员占比较高，学历水平符合技术密集型、人才密集型企业特点。截至年末，公司共有研发人员人，占公司总人数比例39.6%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。其中本科及以上学历人数人，占研发总人数比例91.8%，整体学历较高。持续加大研发投入，研发投入占比保持高水平。公司研发突入不断增长，全年研发投入7.28亿元，同比增长13.8%。与同行业公司相比，研发投入占营业收入比重保持较高水平，基本保持20%以上。
公司持续重视核心技术自主研发，拥有一系列核心自主知识产权技术，并能够快速导入公司产品实现产业化。凭借突出的研发实力，承担多项国家科技重大专项及其他多项重大科研项目。
1.4定增募资落地，用于先进工艺设备研发及高端设备产业化项目
年公司成功完成再融资发行，募集资金82亿元，拟用于中微产业化基地建设项目、中微临港总部和研发中心项目以及科技储备基金。上海临港新片区和南昌高新区均具有明显的产业化集群优势，公司本次投资的实施将有助于公司抓住区域发展协同机遇，进一步做大做强公司主营业务。
中微产业化基地项目建设：中微临港产业化基地项目地块总占地面积约.5亩，规划总建筑面积约18万平方米；中微南昌产业化基地项目占地面积约亩，拟新建生产基地建筑面积约14万平方米，建成后主要用于生产集成电路设备、泛半导体领域生产及检测设备以及部分零部件等，将分别与临港区晶圆制造、封装测试、设备材料及南昌LED产业形成集群效应。
中微临港总部和研发中心项目：项目地块总占地面积约25.05亩，规划总建筑面积约10.5万平方米，项目建成后将成为公司临港总部和研发中心，用于除刻蚀设备、薄膜沉积设备等优势产品研发及产业化外，还将开展前瞻性技术研究，推动集成电路生产设备及零部件国产化、推进泛半导体设备产品的研发及产业化等。
科技储备基金：满足公司日益增长的研发项目运营资金需要，本次募集资金中的30.8亿万元为科技储备资金。科技储备资金将用于满足营运资金、研发以及相关产业的扩张等需求。
根据年公司公告江西省南昌市高新区约14万平方米的研发生产基地已全面封顶，上海市临港新片区约18万平方米的研发生产基地和约10万平方米的总部大楼也在紧锣密鼓的建设。到年，中微公司将会有十几倍大的厂房全面建成，为今后的快速发展发展夯实基础。
二、晶圆厂持续扩产，半导体设备景气度持续高涨
2.1全球半导体设备持续高景气度，中国设备市场规模稳居首位
全球半导体设备行业持续高景气。随着年中以来下游需求急剧扩张，全球半导体行业进入高景气周期，受行业下游积极备货因素驱动，晶圆产能供不应求，各晶圆厂和封测厂积极扩产，进而拉升半导体设备需求快速增长。据SEMI数据，年全球半导体设备销售额创历史新高达亿美元，同比大增44.0%。预计年将继续增长11.0%达到亿美元。同时根据SEAJ数据，年Q1~Q4全球半导体设备销量分别为/.7//亿美元，同比+51.0%/+48.3%/+38.0%/+42.6%，环比+21.0%/+5.4%/+8.0%/+3.7%，连续5个季度创新高，行业景气度逐季走高。
北美半导体设备月度出货额持续保持同比环比高增长。自年开始北美半导体月度出货额持续走高，并在3月份成功突破30亿美元大关，11月创出39.14亿美元的新高，统计年前三季度设备出货额，同比大增47.3%。
中国大陆半导体设备市场规模和市场份额快速增长，市占率全球第一。根据SEMI数据，从18年起截至Q4，全球半导体设备季度出货额从亿美元增长至亿美元，中国大陆半导体设备市场规模占比从15.5%提升至27.1%。分别于Q2/Q4以及Q2位列全球首位。据SEMI统计，年中国半导体设备市场规模亿美元，连续四年保持增长，再次成为全球最大半导体设备市场。
中国半导体制造设备进口额保持高速增长。据中国海关总署数据，年前三季度，中国大陆从海外进口半导体制造设备总金额达.3亿人民币，其中集成电路及器件制造设备占比62.5%，同比增长4.0%，国内半导体设备行业整体发展依然保持高景气度。平板显示领域由于设备技术含量相对较低，国产替代较顺利，同比减少31.5%。
2.2晶圆厂扩产积极，资本支出持续增加
随着年下半年以来晶圆产能持续紧张，产能利用率持续保持高位，各大厂商纷纷加大资本开支力度。根据ICInsights统计，受半导体前端（晶圆制造）和后端（封装和测试）半导体设备市场需求带动，全球半导体资本支出达亿美元，同比增长36%，预计年还将继续增长24.0%，达到亿美元。Q3以来，主流晶圆厂产能利用率持续满载，资本开支持续拉升，年台电资本开达亿美元，据21Q4台积电说法会，其年资本开支预计为~亿美元，同比增长33.0%~47.0%。联电年资本开支达23亿美元，中芯国际资本开支达45亿美元，华虹资本开支约14亿美元。
国内晶圆和存储厂持续加大扩产力度，国产设备需求弹性持续释放。根据各公司公告的扩产计划，中芯国际包括京城、上海、深圳新厂以及现有产线产能扩充、华虹无锡12英寸产线，士兰微、华润微、上海积塔以及闻泰科技等功率半导体产线以及以天岳先进为代表的第三代半导体产线均会在未来两年加速扩产。长江存储Fab2厂、长鑫存储二期将于年进入设备招标高峰期，将带来国产设备需求持续提升，预期国产设备厂商将在~年持续受益国内晶圆厂的扩产。
2.3国产设备厂商订单增长迅速，产能扩张进行时
年下半年以来国内半导体设备厂商季度营收高速增长，行业高景气度下在手订单充足。在下游晶圆厂扩产加速，叠加对国产设备需求高涨，国内半导体设备厂商订单持续高增长。从合同负债和存货角度来看，我们统计国内北方华创、中微公司、至纯科技、芯源微四家上市设备公司8个季度数据，Q4单季度合计营收增速约为46.0%，单季度营收达55亿元。为应对下游需求，各公司积极备货，存货和合同负债大幅增加，年存货合计达亿元，同比增加约60.0%，合同负债合计达72.5亿元，同比增约87.0%，充足订单反应行业持续高景气。
设备厂商积极扩产，锁定未来产能。在手订单饱满，行业驶入快速发展车道，部分设备厂商积极募资扩充产能，打破产能瓶颈，布局未来.未来随着募投产能开出，预期本土设备厂商市占率将持续增长。
三、内部自研+外延并购，平台化布局初见成效
3.1介质+导体刻蚀双布局，进一步打开刻蚀设备成长空间
刻蚀机是晶圆制造三大核心设备之一，干法刻蚀占比95%以上市场份额，根据作用机理不同，干法刻蚀又可分为电容性等离子体（CCP）刻蚀设备和电感性等离子体（ICP）刻蚀设备。CCP刻蚀设备：CCP刻蚀设备等离子体能量高，浓度适中，不易控制，可调节性较差，主要用于质地较硬的电介质刻蚀领域如：逻辑芯片栅侧墙、硬掩模刻蚀、中段接触孔刻蚀、后端镶嵌式铝垫刻蚀、深孔和连线接孔刻蚀、氧化硅/氮化硅等深槽介质刻蚀。ICP刻蚀设备：ICP刻蚀设备等离子体浓度高，能量低，可单独进行等离子体浓度和能量的调节，可用于质地较软的金属、硅等导体刻蚀领域如：硅浅槽隔离（STI）、锗（Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅、金属导线、金属含垫、金属硬掩模等金属和硅刻蚀。
全球半导体刻蚀设备市场空间亿美元，呈寡头垄断格局。根据SEMI预估，年全球晶圆厂设备市场规模亿美元，按刻蚀设备占比24%左右初步估算，全球半导体刻蚀设备市场规模亿美元，CCP刻蚀设备市场占比60%约96亿美元，ICP刻蚀设备市场占比40%约64亿美元。其中中国大陆晶圆设备市场份额全球占比约27%达80亿美元。全球刻蚀设备市场呈寡头垄断格局，据Gartner统计，年泛林半导体、应用材料及东京电子三者市场占比达90%。
CCP刻蚀设备市场占比逐步扩大，ICP刻蚀设备取得突破进展。CCP设备：公司立足CCP等离子体刻蚀设备，占据龙头地位，性能比肩国家一线大厂，公司PrimoRIE系列产品已成功批量进入包括台积电、SK海力士、三星、中芯国际等在内的国内外一线客户集成电路加工制造生产线，市占率逐步提升。逻辑电路：已取得5nm及以下逻辑产线重复订单；存储电路：产品已在64层及层3DNAND生产线得到广泛应用，订单稳步增长，并积极布局动态存储器应用，工艺开发及验证进展顺利。此外公司推出兼容8/12英寸晶圆设备，以满足国内成熟晶圆产能的扩张。
ICP设备：自年公司ICP刻蚀设备进入市场，已在15家客户共计道工艺产线进行验证，累计交付已超腔，ICP设备逐渐成熟，市场份额持续提升。同时公司积极推出应用于先进系统封装、2.5D/3D封装和微机电系统的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSVE、PrimoTSVE，已获得重复订单。针对未来客户技术需求，公司积极布局满足5nm及以下的逻辑芯片、1Xnm的DRAM和层以上的3DNAND存储芯片等产品需求的ICP刻蚀设备研发。
晶圆厂资本开支持续提升，先进制程占主导地位。台积电：年台积电资本开支亿美元，其中80%用于7nm、5nm、3nm等先进制程工艺，10%用于先进封装和光罩制作，其余用于特种工艺制程。据台积电21Q4业绩说法会，年台积电资本开支预计将增加40%以上达到~亿美金。三星：年三星资本支出约亿美元，主要用于先进逻辑芯片制程工艺以及层6V~NANDFlash存储芯片和DDR5等内存芯片。中芯国际：年资本开支达45亿美元，主要用于40nm~65nm成熟制程扩产，预计年资本开支将会达到50亿美元。随着未来国内外先进制程工艺占比、3DNAND堆叠层数逐步提升、国内成熟制程产线加大扩产，刻蚀设备市场空间逐步扩容叠加产品市占率逐步提升，预期公司半导体刻蚀设备未来大有可为。
3.2内生外延拓展薄膜沉积设备，开拓新增长曲线
随着晶圆工艺复杂化以及堆叠层数增加，薄膜沉积设备市场规模快速提升。四大因素推动薄膜市场扩容：1）晶圆厂扩产带来设备需求；2）先进逻辑制程芯片的沉积工序增多，多重曝光技术拉动薄膜设备需求,目前基于EUV的7nm/5nm已成台积电营收主力，预计22年将投产3nm工艺；DRAM方面，据产业链消息，目前三星、SK海力士以及美光处于从1Y制程向1Z制程转换阶段，未来基于EUV的导入，制程将进一步延伸至10nm；3）FLASH存储芯片级3DNAND成为主流，堆叠层数增加导致薄膜沉积工序增加；4）芯片结构复杂化，由此导致设备使用量增加及各设备份额不断变化。未来，随着晶圆制程工艺的推进，等离子体沉积（PECVD）和原子层沉积（ALD）将贡献主要增长点，预计到年，等离子体CVD和ALD将分别占据薄膜沉积设备市场份额51%和19%。
CVD设备全球市场规模亿美元，国外厂商占据主导地位，国产替代空间广阔。根据Gartner统计，年CVD设备市场份额约85亿美元，约占薄膜沉积设备市场64%市场份额，其中LPCVD市场规模约15亿美元，ALD（原子层沉积）市场规模约17亿美元。参考年各薄膜设备占比来，初步测算年LPCVD设备以及ALD设备市场份额分别为11.2亿美元、20亿美元。据Gartner数据，受益于先进制程GAA应用和存储器超深宽比薄膜技术需求，单ALD设备市场规模将从年20亿美元增长至年34亿美元左右。其中单先进制程FinFET向GAA工艺转换即可推动ALD设备和EPI设备市场增加12亿美元。根据MaximizeMarketResearch预测，年全球半导体薄膜沉积设备市场规模将达到美元，年均复合增长率13%以上。届时LPCVD和ALD设备市场规模合计将达到85亿美元左右。公司积极布局薄膜沉积设备，打开百亿增量空间。
内生：基于MOCVD设备研发经验及优秀的研发团队，公司积极布局前端金属化工艺，成立团队进行EPI设备和钨填充LPCVD设备研发，已能够满足客户工艺需求。基于金属钨CVD设备，公司正进一步开发先进逻辑工艺节点及更高堆叠层数3DNAND工艺用CVD和ALD设备，实现更高深宽比（60：1）和更小的关键尺寸(14nm)结构的填充，以满足高端逻辑器件和先进存储芯片的需求。
外延：公司通过入股国内薄膜沉积设备龙头沈阳拓荆，差异化布局，与内部刻蚀、薄膜沉积等业务形成协同效应，加快薄膜沉积全产业连布局。通过内生外延联合布局方式加速拓展新领域，公司第二增长曲线雏形初现。（报告来源：未来智库）
3.3MiniLED成长期成长驱动力，第三代半导体助力成长加速
MiniLED商业化落地，市场空间迎来快速增长。年是MiniLED商业化元年，各种搭载MiniLED的平板、电视、笔记本以及显示屏等产品扎堆上市，MiniLED产业迎来春天。据产业链调研，苹果将于年上半年推出搭载MiniLED显示屏的iMacpro，产业预计miniLED将有望在21年基础上翻倍增长。据LED整合大厂富采公告，年全球笔记本电脑和平板电脑总计销量约2亿台，如按照30%转换为MiniLED屏幕，全年将有万台MiniLED背光需求量。年出货规模为~万台，单电脑市场尚有十倍潜在增幅空间。CMMA认为到年MiniLED的整体市场渗透率会超过20%，当前MiniLED产业正处于产能扩张周期。预期MiniLED势必将取代OLED成为未来数十年中主流的显示技术。为确保产能，抢占先机，各大厂商加紧采购MiniLED设备扩张产线，设备厂商迎来产能释放周期。
中国大陆MiniLED市场迎来快速扩容阶段。大陆的MiniLED封装企业包括国星光电、聚飞光电、瑞丰光电和兆驰股份等。当前大多数厂商均处于研发和小批量出货阶段，同时积极扩张产能，以应对未来可能激增的下游需求。市场端：据GGII数据统计，年中国MiniLED市场规模在16亿元左右，预计20年MiniLED市场规模达到37.8亿元，同比增长.0%。前瞻预测，年中国MiniLED行业市场规模有望突破亿元。产业链端：从LED产业链价值分布上看，封装端市场规模约为芯片端5倍左右，预计年Mini/MicroLED封装市场规模将达到1.9亿美元，到年将达40亿美元。
公司拓展MiniLED公司拓展MiniLED和MicroLED领域，MOCVD设备迎来第二春。当前公司MOCVD设备主要应用于蓝绿光LED照明及功率器件领域，随着新应用崛起，公司逐步拓展至深紫LED和高端MiniLED。自年6月公司推出MiniLED用PrismoUniMaxMOCVD设备，半年时间已拿到超腔订单，看好MOCVD设备市场前景。随着当前miniLED技术逐步成熟，在中高端液晶显示屏背光、LED显示屏得到大规模应用，公司MOCVD设备将迎来新一轮量价齐升窗口期。
第三代半导体应用方兴未艾，市场空间快速增长。MOCVD设备是化合物半导体外延材料研究和生产的关键设备，特别适合化合物半导体功能结构材料的规模化工业生产。得益于传统消费电子应用渗透率提升以及光伏储能、工业和新能源汽车等新兴应用快速增长，以氮化镓和碳化硅为主的化合物半导体产业规模不断扩大，驱动MOCVD设备需求不断增加。
碳化硅器件未来可期，器件厂商增加供给迎需求。据HISMarkit数据，年SiC功率器件市场规模约6.1亿美元，受新能源汽车、风电、光伏、储能等应用需求驱动，年全球SiC功率器件市场规模将达到30亿美元以上，年均复合增长率达30.4%。另据Yole预测，碳化硅器件应用空间将从年的6亿美金快速增至年的亿美金。面对广阔的发展前景，国内各大器件产商积极扩产。另据CASA统计，年底国内至少已有8条6英寸碳化硅晶圆制造产线，另有约10条碳化硅生产线正在建设。三安光电、泰科天润等主要企业已有相应产线量产，同时仍在积极扩建。
公司作为全球MOCVD设备龙头，基于多年MOCVD设备研发经验及品牌效应，顺应产业趋势，切入碳化硅领域，将为公司MOCVD设备带来新的业绩增长点。
四、盈利预测
刻蚀设备：公司布局刻蚀设备近20年，覆盖80%以上刻蚀制程工艺，其中CCP刻蚀设备市占率不断提升，高阶应用持续推进，ICP刻蚀设备放量突破，有望形成协同效应，继续保持行业领先优势，持续看好公司未来刻蚀设备业务发展，假设~年公司刻蚀设备收入同比+55.0%/+40.0%/+35.0%，毛利率分别是44.0%/44.5%/43.0%。
MOCVD设备：公司原有MOCVD设备以LED照明领域为主，新产品瞄准MiniLED/MicroLED、功率器件以及第三代半导体等高阶应用领域，随着品系持续扩充及市场需求驱动，量价齐升将成为未来业绩亮点，假设~年收入同比+50.0%/+40.0%/+35%，毛利率分别是34.0%/37.0%/36.5%。
薄膜沉积设备：公司钨填充CVD设备产线验证进展顺利，按照设备正常验证和验收周期初步估算，有望在年形成收入并在年开始放量，EPI设备有望在年形成收入，假设~年收入分别为0万元/万元/1.3亿元，毛利率分别为30.0%/33.0%/37.0%。
其他业务：其他业务主要包括备品备件业务、设备服务费用以及环保设备等，随着国内晶圆厂持续扩产及公司设备付运规模高速增长，备品备件业务及环保设备营收将持续增长，假设~年收入同比+.0%+/60.0%/+40.0%，毛利率50.0%/52.0%/55.0%。
基于以上假设，我们预计公司~年营业收入分别为45.45亿/62.72亿/84.26亿元，同比+46.2%/+38.0%/+34.3%，归母净利润分别为10.72/13.06/17.09亿元，同比+6.0%/+21.8%/+30.9%，综合毛利率分别为43.5%/43.7%/43.8%。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
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