2021年中国存储芯片行业市场竞争格局与 [复制链接]

在国家大力支持半导体产业发展的大背景下，半导体行业迅速发展，推动中国存储芯片应用场景不断拓宽。年以来，国内存储芯片行业涌现出一批新型企业，为打破国外企业的垄断做出了杰出贡献。

存储芯片行业主要上市公司：中芯国际()、兆易创新()、紫光国微()、聚辰股份()、澜起科技()等

本文核心数据：全球存储芯片行业竞争层次、中国存储芯片行业发展历程、中国存储芯片市场厂商竞争力分析。

1、全球存储芯片行业集中度高，国内市场处于成长阶段

存储芯片，又称半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备，是现代数字系统的重要组成部分。存储芯片具有体积小、存储速度快等特点，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。

目前全球储存芯片市场被海外企业垄断。DRAM领域，三星、美光、SK海力士占据95%的市场份额;NANDFlash领域被三星、美光、SK海力士、英特尔垄断;NORFlash领域海外垄断程度最低，旺宏、华邦、兆易创新市占率前三，合计占据70%份额。

我国具有设计存储芯片的头部企业主要包括长江存储、长鑫存储、兆易创新、紫光国芯、中芯国际以及华虹半导体等，主要存储芯片业务布局为NORFlash及闪存芯片设计。

2、中国存储芯片奋起直追

虽然目前我国存储芯片行业全球市场份额较低，但其发展迅速，目前技术水平已达到行业主流水准。年以前，我国还不具有存储芯片研发、生产能力，芯片需求完全依赖进口。-年，武汉新芯、合肥长鑫、长江存储相继成立。

-年，长江存储攻克64层3DNAND技术并开始量产，打破了NANDFlash芯片的国际垄断。年，兆易创新推出首款自有品牌DDR4产品，实现了从设计、流片，到封测、验证的全国产化。

3、长江存储完成层NANDFlash存储芯片技术突破

存储芯片有多种细分市场，以NANDFlash和DRAM存储芯片为主。长江存储作为我国NANDFlash龙头企业，完成层NANDFlash存储芯片技术突破。Trendforce数据显示，三星、海力士、美光都计划在年推出层的(TLC/QLC)，而在年后，QLC将逐步发展并成为主流。

在年后，中国的长江储存技术出现在世界视野中，中国NANDFlash厂商长江存储(YMTC)已在年第一季将层3DNAND样品送交存储控制器厂商，目标第三季进入投片、年底前量产，拟用于UFS、SSD等各类终端产品，并同时出货给模组厂。

4、合肥长鑫DRAM存储芯片产能快速扩张

在DRAM存储芯片市场，合肥长鑫完成快速增产。根据Trendforce数据，年美光和南亚尚未看到增产计划，三星与海力士有望在年分别扩产3万片/月、1万片/月，合肥长鑫将迎来快速增产的阶段，有望从年3季度的4万片/月到年4季度增产至8.5万片/月。

5、中国存储芯片：后来居上，前途广阔

中国存储芯片厂商发展力强，成长空间较大。从中国存储芯片行业竞争格局来看，市场主要由国外存储芯片巨头领导，细分领域也落后于国外及台湾厂商(如NORFlash的旺宏/华邦等)，但近年来国内厂商奋力追赶，已在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距，其中，兆易创新位列NORFlash市场前三，聚辰股份在EEPROM芯片领域市占率全球第三，长江存储层3DNAND存储芯片，直接跳过96层，加速赶超国外厂商先进技术。值得注意的是，兆易创新集团旗下还包含长鑫存储(CXMT)，意味着兆易创新集团同时握有中国NORFlash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体发展的重要角色。

总而言之，中国存储芯片行业发展形势较为乐观，但还有一段漫长的路要走。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国存储芯片行业市场需求与投资前景预测》，同时前瞻产业研究院还提供产业大数据、产业研究、产业链咨询、产业图谱、产业规划、园区规划、产业招商引资、IPO募投可研、招股说明书撰写等解决方案。

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