白癜风忌食 http://disease.39.net/yldt/bjzkbdfyy/6064851.html电子产品的更新迭代速度飞快，当我们还在研究层3DNAND闪存芯片的时候，有些海外厂商已经推出了层3DNANDSSD产品，并且已经上市销售。
近日，SK海力士官宣推出首款层3DNANDSSD，据悉，这款产品名叫SKHynixGoldP31，是全球首个正式采用层3DNAND芯片制造并上市的消费类SSD产品，也是全球第一个层以上的消费类SSD，它针对的是内容创作者和PC游戏玩家市场，2TB、16TB、32TB等更高容量的企业级NVMeSSD也会在后续继续推出。
3DNAND闪存是一种新兴的闪存技术，它是通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2DNAND闪存带来的技术限制，能有效提升闪存的容量和密度，降低单GB固态的价格。由于平面NAND闪存存储密度接近极限，3DNAND技术可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备，能耗更低，性能更高可满足更多的存储应用场景需求。
据SK海力士相关人员介绍，GoldP31可提供GB到1TB的容量选择，2TB型号的PlatinumP31也将在近期推出，驱动器使用PCIe3.0x4接口，P31中使用的新型层3DTLC是SK海力士的第二代产品，采用了它们的4DNAND结构，该结构将许多存储芯片的外围电路置于存储单元阵列的下方，而不是并排放置。这与英特尔和镁光的3DNAND阵列下CMOS设计有异曲同工之妙。
在读取速度方面，据介绍，SK海力士P31的读取速度3,/3,MB每秒，随机读取IOPS额定值高达,/,，当SLC缓存满时，设备会减慢速度，对于采用甚至更高层数的TLC颗粒，SK海力士4DNAND结构密度优势明显，成本竞争力更强。
消费类SSD占比整个市场份额非常之大，SK海力士对于消费级SSD市场非常重视，年，SK海力士的GoldS31SATASSD进入了消费零售SSD市场，在年国际消费电子展上，SK海力士又展示了消费类NVMe驱动器，其中SKHynixGoldP31也在现场进行展出。作为全球少有的能自研自产层3DNAND闪存颗粒和固态硬盘的企业，SK海力士在年就宣布成功研发并量产层堆叠的4DNAND闪存芯片，单颗芯片集成超过3亿个闪存单元，单颗容量1Tb，容量是96层堆叠的1.4倍。在年，SK海力士官宣它们正在研发层4DNAND，层4DNAND字符串堆叠技术将使SK海力士能够不断增加层数，SK海力士表示，目前正在开发层4DNAND闪存，何时上市还不确定。
SK海力士此前表示，“高端SSD系列产品主要是瞄准高性能用户和PC游戏玩家，大多数高端游戏笔记本电脑都配备了三星PMNVMe固态硬盘，现在GoldP31将为OEM和定制厂商的另一种选择。”SK海力士全球销售与营销主管执行副总裁JongHoonOh表示：“SK海力士通过这种层4DNAND存储器确保了其NAND业务的基本竞争力，凭借该产品，具有业界最佳的堆叠和密度，我们将在适当的时候为客户提供各种解决方案。”对于企业级市场，SK海力士自然不会缺席，但是业内人士表示，层3DNANDSSD将需要更长的时间才能进入企业存储市场。
据悉，三星PMNVMe固态硬盘仍停留在64层NAND结构，与层3DTLC结构相比，技术优势就差了一截了。但是，三星PMNVMe固态硬盘的技术参数是可以的。三星OEMSSDPM采用的是三星最新的主控和64层堆叠3DV-NAND，容量也是有GB和1TB两个GB的连续读写速度为3/MB/s，随机读写IOPS为,/,，1TB的连续读写速度为3/MB/s，随机读写IOPS为,/,，走的是三星M.2Socket2接口和PCI-E3.0x4通道，带宽高达32Gbps。
据悉，SK海力士也将于近期开始发货首批1Tb层的TLCNAND芯片，它们将主要用于移动存储设备，包括USB驱动器和存储卡。
由于当前的主流闪存技术仍停留在96层闪存和SSD，这就导致TB级的SSD非常昂贵，SK海力士的量产层4D闪存SSD，不仅可以降低大容量SSD市场价格，也会快速推动行业发展，因为友商也在发力这块领域。
群雄争霸的层
年，铠侠存储推出企业级PCIe4.0硬盘，随后三星也推出了SSD硬盘PM9A3系列，采用的是三星第六代V-NAND闪存，最多层，容量最高达7.68TB。据介绍，三星PM9A3系列SSD有U.2、M.2及E1.S三种规格，E1.S规格是英特尔联合多家企业打造的全新形态SSD硬盘，标准正式名字为EDSFF。PM9A3硬盘采用了PCIe4.0x4通道，支持NVMe1.3，支持1.3DWPD。不同于SK海力士，三星的这款层固态产品针对企业级市场，主要定位数据中心服务器，据业内人士透露，浪潮服务器已经采用三星PM9A3系列SSD，并且正式上市。
三星早在年6月份就推出了第六代V-NAND层Gb3DTLCNAND，随后宣布基于该技术已批量生产GBSATASSD。年将是闪存技术飞跃的一年，因为+层正在成为主流，西数、铠侠、镁光、英特尔等企业正在发力，角逐层、层甚至更高的堆叠技术。据悉，三星正在进行更大的计划，它们正在针对5年内达到层或更多层的堆栈进行研究。
年，东芝（现叫铠侠）和西部数据曾公开表示将推出层3DTLCNAND闪存，这个芯片叫BiCS-5。芯片数据密度为Gb，下半年即可实现商业化生产。
据悉，美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新RG架构的第四代3DNAND存储器的量产工作，在Q3季度即可大批量生产。不同于三星和SK海力士，RG技术能够减小管芯尺寸、降低成本，提高性能。
年7月，英特尔官方宣布，它们公司已完成了层NAND的开发，目前正在测试当中，预计下半年可量产层QLCNAND。据相关人士介绍，这颗芯片的单颗Die容量1Tb，消费类和企业级SSD均将随后推出，这个消息无疑给业界一个强心针。
据很多专业人士表示，之所以三星和铠侠对TLC更看好，是因为QLC的寿命和稳定性较差，英特尔大规模将QLC应用到SSD中是否能更好地满足消费类和数据中心等企业级业务需求，还有待市场和技术验证。
在全球市场追逐层NAND闪存技术时，中国这边的动静虽然不大，但是也是加紧步伐的节奏。弯道超车一直是近年来中国芯片领域的热门词语，在闪存芯片领域，长江存储直接跳过96层，年4月，该公司的国产层3DNAND闪存研发成功，但是尚未有消息称，品牌和OEM厂商采用该颗粒进行量产。据国内知名人士莫大康表示，国内企业64层3DNAND与国际大厂层仅相差两代，实际的差距却并不止此，考量因素不仅包括技术的开发、量产工艺的精进、成品率的提升，也包括市场占有率的扩大等。
不管是对于SSD市场的进步，还是闪存颗粒市场的格局，SK海力士推出的首款层3DNANDSSD都具有非凡的意义。对企业而言，只有加速研发新技术，方能抢占市场先机，赢得市场的尊重。
