福建白癜风医院 http://baidianfeng.39.net/a_yqyy/160109/4756241.html值得一提的是，DRAM产业，全球市场空间曾达到上千亿美元，目前主要被三星、SK海力士、美光三家企业垄断。本文将分析当前DRAM芯片市场格局，梳理美日韩DRAM产业发展历史，方便读者更为全面的认识中国DRAM产业面临的发展机遇。
01
市场空间千亿美元的DRAM产业，却被三家企业垄断
DRAM，动态随机存取存储器（DynamicRandomAccessMemory），市场主流的半导体存储器，年市场规模已超过亿美元，虽然-年由于价格大幅下降以及服务器、手机等下游均出现同比下滑，市场空间出现下降，不过ICInsights预计年将达亿美元，依旧占存储芯片市场50%以上的份额，芯片半导体行业当之无愧的第一大细分领域。
如此巨大的市场，却基本没有大陆玩家的参与。根据ChinaFlashmarket数据，年三星电子占据全球DRAM市场43%的市场份额，SK海力士在全球DRAM市场占比达到29%；美光的市场份额达到23%，此外中国台湾的南亚科技、华邦电子分别占据3%、1%的市场份额。三大巨头占据DRAM行业95%的市场规模，前五大行业巨头占据99%的市场规模。
DRAM市场三星、SK海力士、美光三足鼎立的格局，不是短时间内能形成的，而是经过了一场绵延50多年、持续至今的搏杀。在此期间，来自美国、日本、德国、韩国、中国台湾的产业巨头，包括Intel、IBM、英飞凌、Motorola、TI、日立、三菱、东芝、松下、现代、LG等厂商纷纷杀入DRAM市场，却一一倒在了时代的浪潮之下，成为DRAM市场的旁观者。就连开创DRAM产业的三大元老——英特尔、德州仪器和IBM，也分别在年、年和年，凄惨地退出了DRAM市场。
复盘美日韩DRAM产业的发展历史，对我国DRAM产业的发展具有极大的参考意义。
02
持续50多年的DRAM战争，美日韩轮番登场
美国：DRAM存储的开创者，依然活跃在战场一线
年，IBM率先研发MOS型RAM存储成功，开启半导体存储的历史。年，Intel在其3寸晶圆厂成功量产C，奠定了DRAM快速商业化的基础。到年，Intel的DRAM占据全球超80%份额。
年美国其他厂商例如德州仪器、Mostek(由德州仪器的前员工于年创立)、日本厂商NEC等先后进入DRAM市场，德州仪器推出成本更低的4KDRAM，Mostek推出针脚更少的4KDRAM，均成为Intel的强劲对手。
年，Mostek推出的MK采用了POLY-II（双层多晶硅栅工艺），容量达16K，大获成功，占领75%的DRAM市场。而后继续持续推出新产品，进一步获得市场份额，在70年代后期，一度占据DRAM市场85%份额。但后来为应对来自资本市场的恶意收购，导致股权结构大幅变动，经营战略发生调整，管理层动荡及技术人员流失，公司发展遭遇较大障碍。
年，四个Mostek的离职技术人员创立了一个未来的存储巨头—美光。面对80年代如日中天的日本半导体产业，在其他9家美国DRAM公司纷纷倒闭后，美光采取其企业发展的关键一步，对日本提出反倾销的控诉，最后日本与美国签订半导体贸易协议，美光借此不但重拾价格竞争力，其销售额在至年间成长了6倍。
面对90年代崛起的韩国半导体产业，美光采取两项重要策略，一为并购德仪半导体部门，藉此获得重要技术与研发能力，并增加规模分摊制造成本；二为与英特尔策略联盟，确保美光在高阶产品的市场。
进入新世纪后，面对威胁更大的三星，美光合纵连横，并购了日本KMT、东芝在美国的半导体工厂、以及全球第三大厂尔必达，购买中国台湾华亚科技的股权，与南亚科技建立策略联盟，正式进入全球布局的阶段。
日本：后发先至，在年彻底落幕
年，日本*府启动了“DRAM制法革新”国家项目，被认为是日本DRAM产业最重要的崛起推手。同年，由日本*府出资亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资亿日元，日本VLSI联合研发体成立，设立了6个实验室，从高精度加工技术、硅结晶技术、工艺处理技术、监测评价技术、装置设计技术等方向入手，成功攻克了包括电子束光刻机、干式蚀刻装置等半导体核心加工设备，以及领先的制程工艺和半导体设计能力。在VLSI项目的推动下，日企年研制成功64KDRAM，已成功赶上美企DRAM研发进度，随后日本DRAM产业进入增长爆发期。
年，日本成为全球最大的DRAM生产国。年，全球半导体产业转入萧条，半导体价格大幅度下跌，英特尔、TI等厂商被迫撤出了DRAM市场。而凭借VLSI项目的成功，日本企业一举占据了64K、K、K和1MDRAM市场90%的份额。
年，日本签订《美日半导体协议》，协议主要内容包括：对日本半导体限制出口数量；制定公平价格，日本半导体必须高于“公平价格”来出口；美国在日半导体市场份额强制要达到20%以上。年，第二次《美日半导体协议》签订。
年，为保护日本的DRAM产业，在日本通商产业省（经济产业省前身）的主导下，NEC和日立分别剥离旗下DRAM业务，成立了新公司尔必达，年三菱电机的DRAM业务部门也被并入。自此，曾在ICInsights年的全球十大半导体厂商排名中分别位列第二、第五和第八的三家日本半导体厂商的DRAM业务汇集在了一起。
年，在遭遇日元升值、韩国同行强势崛起、市场需求和产品价格双双下滑等影响下，尔必达被美国美光科技收购，标志着日本在DRAM的竞争中彻底被淘汰。
韩国：从崛起到辉煌，永远在逆势投入
年，在日本启动VLSI研究项目的同时，韩国*府已在龟尾产业区建立韩国电子技术研究所（KIET），分为半导体设计、制程、系统三大部门，并都交由从美国半导体产业回来的技术专家负责，大量招收美国归来的韩系工程师，集中研发集成电路关键技术。
年代中后期开始，韩国三星，LG、现代和大宇等财阀，通过购买、引进DRAM技术专利及加工设备，对其进行消化吸收并在此基础上持续投入研发，以追赶技术差距。直到年代后期，家用PC电脑兴起，且产品换机时间大幅缩短为3-5年，普通消费者对价格敏感，而对使用寿命要求不高，且日本半导体产品受到美国压制，韩国DRAM产品才得以逐步扩大市场份额。
年，三星率先攻破技术壁垒，推出世界第一个64MDRAM。此后，三星继续提高研发投入，到年又开发出第一个1GBDRAM。三星电子DRAM芯片出口额达到62亿美元，位居第一；现代电子居世界第三。
截至年，占DRAM份额前五的韩厂有两家，分别为三星和现代，其中三星占23.00%，位居第一；现代占19.36%，位居第三，韩国企业领导DRAM市场。
年之后，三星多次发起“反周期定律”价格战，使得DRAM领域多数厂商走向破产，并逐渐形成DRAM领域只有几家垄断市场的现状。在年至年，三星再次祭出“反周期定律”，而彼时日立、NEC、三菱的内存部门不堪重负，被母公司剥离，加上东芝宣布自年7月起不再生产通用DRAM，日本DRAM仅剩下尔必达一家。
年初，因全球DRAM需求过剩，叠加年金融危机，DRAM颗粒价格从2.25美元暴跌至0.31美元。三星却将年公司总利润%用于DRAM扩产，使得DRAM价格接连跌破现金成本和材料成本。在这样的攻势下，德国厂商奇梦达于年初宣布破产，日本厂商尔必达于年初宣布破产，三星市占率进一步提升，全球DRAM领域巨头只剩下三星、海力士和美光。
03
以史为鉴，中国的DRAM产业将加速发展
纵观美国、日本和韩国DRAM产业的发展历程，以及没有提及的中国台湾DRAM产业的兴衰，有三个经验或者说教训可以供我们参考：
一是产业定力。从日本、韩国等DRAM发展历史经验来看，无论是日本的“DRAM制法革新”国家项目，还是韩国的“官民一体”的DRAM共同开发项目，举国体制、单点突破及以点带面都是发展半导体产业的有效方式。当前的DRAM产业需要数以千亿计的资本实力、以数十年计的产业定力，才能形成合力并坚持到产业的黎明。而从中国台湾DRAM厂经验中了解，若没有此时此地的鱼死网破及孤注一掷，也很难看到彼时彼地的美好未来与锦绣明天，一旦选择开始，则必须全力以赴，没有退路。
二是设备自主能力。半导体行业，具有一定程度的后发优势，核心设备的迭代至关重要。由于半导体工艺、设备及材料进步非常快，而新玩家进入半导体行业时，没有历史资产及折旧包袱，并有机会用新设备及新材料，从而达到更好的产出率及更高的产品良率，故有一定的“后发优势”。从日、美、韩的经验显现，中国半导体产业希望实现反超，离不开关键设备的迭代能力，但若希望基业长青，晋华事件不再重演，设备自主创新能力就至关重要。
三是产业链的支持。日本、韩国能实现后发而先至，在成长初期，都基于已经拥有较好的中游制造能力及下游品牌终端需求支持，两者缺一不可，这也是为什么除德国以外，其他国家始终没有较大的DRAM厂商进入历史舞台。
回首中国DRAM产业发展史，“七五”期间我国集成电路技术“”发展战略成功研制了中国人第一块64kDRAM、“八五计划”时期的“工程”和“九五计划”时期的“”计划分别孕育了无锡华晶电子以及上海华虹微电子两大晶圆厂，中国资本先后收购奇梦达科技（西安）有限公司填补国内DRAM设计空白，以及海外DRAM厂商ISSI实现资本化都为中国DRAM产业链填上了浓墨重彩的一笔，四十年间从自主研发到技术引进再到兼并收购。
年以后，随着集成电路产业逐渐成为经济结构升级的重点发展方向，
