德国奇梦达破产，合肥捡到宝，DRAM内存芯片研发顺利
奇梦达的德国英飞凌的存储芯片子公司，曾经是全球规模第三大的存储芯片厂家，DRAM内存芯片更是曾达到全球第2，还是mm晶圆工艺的领导者。不过，年DRAM内存芯片严重供过于求，发生你死我活的价格战，韩美的*府都积极援助自家的存储芯片巨头，只有小气的德国*府和英飞凌，拒绝援助，导致奇梦达直接破产。目前韩国三星和SK海力士、美国美光3大巨头垄断了全球DRAM内存市场，三巨头的全球总份额高达96%。
那两年，中国企业也捡到宝了，浪潮集团仅仅用0万元人民币，就并购了奇梦达在中国研发中心，并获得全部资产和技术版权，这其中就包括后来合肥长鑫存储获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据，正是收购了这些技术，才让合肥长鑫存储芯片没有专利纠纷。
合肥长鑫从19纳米DRAM内存芯片成功投产，通过大客户的验证
合肥长鑫获得的DRAM内存芯片技术资料46nm工艺水平，经过3年的研发，目前合肥长鑫19纳米的DRAM内存芯片，已经成功投产。投产的8GbDDR4已经通过了国内外多个大客户的验证，年底可以正式出货。一期设计产能是每月12万片晶圆，规格是8GbDDR4，总投资约亿元，已获得工信部的量产良率检测报告。
一般来说“10纳米级别”芯片值得是10nm到19nm芯片，合肥长鑫19nm勉强算是达到“10纳米级别”，三星电子量产了10nm的16GbLPDDR4XDRAM内存芯片，虽然差距还比较大，但中国算是解决了DRAM内存芯片有无的问题，技术起步还是非常高的，进步非常大。
合肥将成中国芯片制造中心之一
除了19纳米DRAM内存芯片，合肥长鑫的另外一款供移动终端使用的低功耗存储芯片，也即将投产，进展非常快。合肥长鑫集成电路制造基地，由空港集成电路配套产业园、长鑫12英寸存储器晶圆制造基地和空港国际小镇构成，总投资超过亿元，布局上下游产业链配套，打造产城融合国家存储产业基地和世界一流的存储产业集群。
合肥国家存储产业基地全部建成后，可形成产值超亿，上下游龙头企业超家，相关人才超20万人，打造IC之都。武汉长江存储64层闪存芯片量产了，加上合肥长鑫的这个19纳米内存芯片，中国存储芯片的卡脖子问题，基本上算是完美解决了。
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