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TUhjnbcbe - 2023/3/20 16:18:00
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(报告出品方/作者:海通国际,郑宏达)

1.东芯股份:中小容量存储芯片平台企业

主营业务:聚焦中小容量存储芯片设计、生产和销售

东芯股份是大陆领先的存储芯片设计公司,聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计和销售,是大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等主要存储芯片完整解决方案的公司。凭借强大的研发能力和稳定的供应链体系,产品已进入国内外众多知名客户,广泛应用5G通信、物联网终端、消费电子、工业和汽车电子产品等领域。自成立以来,公司即致力于实现本土存储芯片的技术突破,通过统一底层设计、功能性可变式的研发架构,构建了强大的设计电路图及封装测试的数据库,实现了芯片设计、制造工艺、封装测试等环节全流程的掌控能力,并拥有完全自主知识产权。公司设计研发并量产的24nmNAND、48nmNOR均为大陆目前领先的NAND、NOR工艺制程。

公司立足中国、面向全球,深耕全球最大的存储芯片应用市场,精准感知瞬息万变的市场动向,紧跟存储芯片国产化浪潮,凭借从芯片、应用电路到系统平台等全方位的技术储备,迅速响应客户个性化需求,针对性地提供包含NAND、NOR、DRAM的存储芯片完整解决方案。经过多年的经验积累和技术升级,公司打造了以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品,凭借在工艺制程及性能等方面出色的表现,公司产品不仅在高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商获得认证,同时已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系,被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。

产品布局:产品线不断丰富,持续推进多元化布局

东芯股份一直以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命,以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景,聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM存储芯片的设计、生产和销售,并拥有独立自主的知识产权,公司目前主要产品为非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash;易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP。

NANDFlash:公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发,主要产品采用浮栅型工艺结构,存储容量覆盖1Gb至32Gb,可灵活选择SPI或PPI类型接口,搭配3.3V/1.8V两种电压,可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司的SLCNANDFlash产品主要用于支持Linux、RTOS等应用系统代码的存储和运行,实现数据的存储及快速改写,被广泛应用于如5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。公司NANDFlash产品核心技术优势明显,尤其是SPINANDFlash,公司采用了业内领先的单芯片集成技术,将存储阵列、逻辑电路与接口模块统一集成在同一芯片内,有效节约了芯片面积,降低了产品成本,提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定,不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次,同时可在-40℃到℃的极端环境下保持数据有效性长达10年,产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。公司的NANDFlash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点,被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域,获得了联发科、瑞芯微、中兴微、博通等行业内主流平台厂商的验证认可,被主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。使用公司产品的终端知名客户包括中兴通讯、烽火通信、海康威视、大华股份、创维数字、航天信息等。

NORFlash:NORFlash是一类通用型的非易失性存储芯片,其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成,在实现按位快速随机读取数据的同时,允许系统直接从存储单元中读取代码执行,因此具有芯片内执行、读取速度快等特点,通常被用于存储相关数据和代码程序,来满足快速启动应用系统的需求,普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。公司自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖2Mb至Mb,并支持多种数据传输模式,公司的产品主要被用于存储代码程序,例如在功能手机中用于存放通信数据交换时的启动程序;在智能手机的摄像头模组中用于存放校正图像分辨率的指令代码;在蓝牙无线耳机中存放启动时的引导程序,目前公司已经为三星电子、LG、传音控股、歌尔股份等中外知名终端客户提供产品。

DRAM:DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一,通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特(bit)来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点,常被用于系统硬件的运行内存,对系统中的指令和数据进行处理。公司研发的DDR3系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品,具有高带宽、低延时等特点,在通讯设备、移动终端等领域应用广泛;公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求,自主研发的LPDDR系列产品具有低功耗、高传输速度等特点,适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。目前使用公司

DRAM系列产品的国际知名客户包括LG、瑞萨、索喜、惠尔丰、伟创力等。MCP:MCP是通过将闪存芯片与DRAM进行合封的产品,以共同实现存储与数据处理功能,节约空间的同时提高存储密度,目前主要用于空间受限的电子产品,被应用于移动终端、通讯设备领域。公司的MCP产品集成了自主研发的闪存芯片与DRAM,凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科的4G模块平台通过认证,被应用于功能手机、MIFI、网络电话、POS机等产品,获得TCL科技、日海智能、捷普等知名企业的认可。

技术服务:公司拥有自主完整的知识产权,凭借积淀多年的存储芯片设计经验和资深的研发团队,可根据客户的特定需求提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案,帮助客户降低产品开发时间和成本,提高了产品开发效率。在为客户进行定制化的设计过程中,公司不断了解市场对产品功能需求,接收客户对终端产品的反馈,反复验证和打磨已有的技术,建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环,进一步增强技术能力。

股东结构:东方恒信为第一大股东、哈勃投资位列前十

公司目前控股股东为东方恒信资本控股集团有限公司,持股比例为32.38%。公司实控人为蒋学明、蒋雨舟,其中蒋学明担任公司董事长,拥有东方恒信68.93%股份,通过东方恒信及东芯科创控制公司27.41%的股权。此外,根据公司年年报,公司目前其他主要股东分别为:齐亮、聚源聚芯、东芯科创、中金锋泰、哈勃投资、时代鼎丰、小橡创投、董玮及董玮控制的鹏晨源拓等。

2.财务情况:净利润增长迅速,22Q1环比持续提升

盈利能力:收入利润规模双增,销售规模逐步扩大

年公司实现收入规模快速增长。公司主营业务构成分别为NANDFlash、NorFlash、DRAM、MCP及技术服务。公司、、年实现营业总收入分别为5.14亿元、7.84亿元和11.34亿元,分别同比增0.71%、52.71%和44.62%。年归母净利润增速远超收入规模增速。公司、、年分别实现归母净利润-0.64亿元、0.20亿元和2.62亿元,分别同比增-.80%、.60%和.27%,年净利润增长迅猛。

NANDFlash为主要收入来源。、、年公司NANDFlash实现收入分别为1.48亿元、3.98亿元和6.60亿元,在营业总收入中占比分别达到28.91%、50.78%和58.16%。受益于规模效应及产品结构调整,公司年综合毛利率增长较快。公司、、年综合毛利率分别为15.00%、22.01%和42.12%,年综合毛利率有所增长,主要系销售规模逐步扩大,规模效应显现,同时公司在持续微缩制程及提高良率的同时对现有产品的结构进行持续优化,高附加值和高毛利率产品的销售占比提升,从而毛利率较年有较大提升。

从细项来看,公司、、年NANDFlash毛利率分别为11.90%、23.02%和51.07%,增长较为迅速;公司、、年NorFlash的毛利率分别为21.25%、24.74%和30.46%,保持稳健上升态势;、、年DRAM的毛利率分别为24.17%、32.92%和41.25%,高于公司综合毛利率并逐年稳步上升;、、年MCP的毛利率分别为3.37%、6.94%和19.54%,低于公司综合毛利率。年净利率增长迅速。公司、、净利率分别为-12.4%、2.5%、23.1%,年净利率实现扭亏为盈,年净利率增长迅速,主要系:(1)产品毛利率上升:随着销售规模逐步扩大,规模效应显现,同时公司在持续微缩制程及提高良率的同时对现有产品的结构进行持续优化,高附加值和高毛利率产品的销售占比提升,从而毛利率较上年同期有较大提升;(2)财务费用降低:上年同期受人民币升值幅度较大影响,汇兑损失较大,年公司通过加强外汇管理降低汇兑损失。(报告来源:未来智库)

研发投入:年研发费用增长迅速

公司年研发费用略有上升,公司、、年研发费用分别为.55万元、.15万元和.38万元,年研发费用较年同比增长57.37%,主要系年公司研发项目逐步展开,研发人员、研发设备等均较年有所增加。公司搭建了包含中韩两国的研发团队,将继续加大研发团队的梯队建设,持续注入新鲜血液。年公司拥有研发与技术人员87人,占公司总人数的47.28%,较上年同期增加29.85%。

公司人均创收、人均创利近三年持续增长。公司年人均创收为.46万元,较年增长.64%。人均创利由年的-38万元增长至年的.28万元,公司在年成功实现扭亏为盈,创利能力跨过拐点,并在年得到进一步提升。

费用情况:年公司期间费用及期间费用率双降,创利能力提升

年公司期间费用及期间费用率双降,创利能力提升。年公司销售及财务费用有所下降,管理费用略有上升。公司、、年销售费用分别为.36万元、.05万元、.87万元,占销售百分比分别为3.87%、2.60%、1.40%。公司、、年管理费用分别为.04万元、.79万元、.82万元,占销售百分比分别为8.67%、5.80%、5.26%。公司、、年财务费用分别为-14.75万元、.38万元、-.14万元,占销售百分比分别为-0.03%、3.91%、-0.80%,财务费用受美元对人民币汇率波动影响,年汇兑损失较大,年公司通过加强外汇管理降低风险,提高收益,因此年财务费用有所下降。

环比情况:22Q1毛利率高位趋稳,净利润环比提升

年一季度公司归母净利润再创新高,达1.1亿元。从单季度毛利率净利率数据看,公司22年Q1实现单季度毛利率49.9%,与22Q4季度水平相当,自21年Q1至21年Q4公司实现连续4个季度环比提升,高位趋稳。22Q1净利润率达35.5%,环比持续提升。

年一季度公司存货周转天数为.8天,处于较低水平。公司存货周转天数环比维持稳定运行,22Q1环比小幅提升,目前仍然处于较低水平。我们认为,公司目前产销节奏稳定,受益于持续稳定的晶圆供给及广阔的市场需求,公司有望平稳穿越周期。

3.行业情况

行业趋势:半导体存储市场规模巨大,国产替代空间广阔

存储芯片是集成电路市场份额占比较大的类别产品。年存储芯片占全球集成电路市场规模的比例高达31.93%,成为全球集成电路市场销售份额占比最高的分支。虽然存储芯片市场规模巨大,但整个市场呈现分化现象。三星电子、海力士、美光科技、铠侠等企业提供全面的存储产品,近年来专注研发大容量、高性能存储芯片,不断推进先进存储技术并凭借技术优势获取较高市场份额。三星、海力士、美光等行业的头部企业占据了存储芯片的大部分市场份额,尤其在DRAM和NAND市场中更是几乎处于垄断地位。行业龙头均从事集成电路行业较早,在几十年的发展中积累了技术开发经验,建立了完备的人才培养体系,其技术与人才壁垒使得后来者很难在短时间内赶超;头部企业通过技术优势转化为市场优势,独占了大部分市场份额,为其带来了丰厚的资金回报,得以支撑其高昂的研发费用和指数式增资的产能投资,进一步促进技术创新和人才储备,不断产生正向的激励循环,推动了行业资源向龙头集中的现象,形成了“强者愈强”的产业格局。

*策支持:终端需求持续攀升,利好*策不断出台

国内集成电路产业快速发展,终端市场需求持续攀升。存储芯片作为消费电子、通讯设备、物联网等领域不可替代的功能器件,其在国内的市场销售规模亦呈现稳步上升的趋势。近年来随着科技创新技术的不断成熟和应用,5G通讯、汽车电子、可穿戴设备等新兴行业迎来快速发展,5G基站、ADAS、智能电子产品等终端产品持续涌现,其对文件处理、图像感知、代码执行等数据存储和执行能力的要求也在不断提升,因此存储芯片的数量、性能和成本未来将会有持续强劲的需求和不断迭代的要求。

年国务院首次发布集成电路的纲领性文件《国家集成电路产业发展推进纲要》,突出企业的主体地位,以需求为导向,以技术创新、模式创新和体制机制创新为动力,突破集成电路关键装备和材料瓶颈,推动产业整体提升,实现跨越式发展。随后我国各级*府出台了一系列*策,从资金支持、补贴奖励等方面吸引优秀企业、人才落户,进一步凸显国家对集成电路产业的重视,以打破国外在集成电路设计、制造等关键领域的垄断。叠加近年中美在高科技领域间的贸易摩擦,由于国外厂商对国内市场的供给缩紧,国内集成电路市场需求急需具有先进产品技术和优质服务能力的国内企业填补,尤其是国内规模较大的终端品牌商为了保证经营稳定,加快本土供应链体系建设,进一步推动了我国存储芯片国产替代的进程。

差异化发展:利基型存储差异化发展及错位竞争

行业其他企业由于各家处于的发展阶段不同,在以领先企业为目标进行技术赶超的同时,结合自身技术特点和市场需求。公司专注于成熟产品的细分市场并实现填补和替代效应,与行业领先企业形成差异化竞争,迎来了新的发展机遇。

1)NANDFlash方面,根据公司年报援引自TrendForce数据统计公布,年NANDFlash市场销售表现较年显著增长,产业营收达亿美元,年增21.1%。尽管自年下半年开始有转弱迹象,但全年受惠于疫情所带动的远距服务与云端需求,营收表现仍显著增长。同时,日益发展的5G通讯、物联网、汽车电子等新兴领域对高可靠性中小容量NANDFlash需求增加。

2)NORFlash方面,根据公司年报援引自CINNOResearch的数据,NORFlash的市场需求稳定增长,从年的24亿美元,增长至年的28亿美元左右。预期年市场规模会增长到37亿美元。近年来,随着应用场景的不断扩展,如物联网的普及、5G基站建设、汽车智能化、可穿戴设备和工业控制等新兴应用的不断发展与增多,NORFlash产品将有望迎来更多增量需求。

年公司SLCNAND芯片在中芯国际1xnm工艺生产线上成功流片持续扩大竞争优势。这也代表着公司已拥有向1xnm制程进一步迈进的经验积累和技术储备,推进公司产品制程进一步升级,增加产品市场竞争力。公司基于与各工艺平台成功的开发经验,并结合市场需求反复调试和优化,陆续丰富了SLCNAND系列产品线,并在持续改良研发中获得更高的产品性能。

新兴需求:利基型存储市场空间天花板打开,公司有望受益于工规、车规等细分市场新机遇

5G通讯、物联网等领域对高可靠性中小容量NANDFlash需求增加。近年来,5G通讯和物联网快速发展推动中小容量NANDFlash市场的发展。5G通讯设备、物联网都需要高速且稳定可靠的存储芯片作为各类数据站点。以5G宏基站为例,其部署环境复杂恶劣,且需要全天候工作,中小容量SLCNAND在性能稳定性上具有明显的优势。年是5G通讯建设的关键年,三大运营商计划年底建成55万个5G基站,实现地级市室外连续覆盖、县城及乡镇有重点覆盖、重点场景室内覆盖。视频监控作为物联网的重要应用领域,在城市治安、交通管理、楼宇安防等领域发挥着重要的作用。AI技术的推动下,视频监控的应用范围逐步扩展到诸如客流分析、环境污染监测等领域。未来随着5G网络的完善,视频监控的应用领域将进一步扩宽。根据公司招股说明书援引自IHS的数据显示,年中国视频监控设备市场规模为.4亿美元,预计年将达.5亿美元,年复合增长13.60%。

汽车电子成为中小容量NANDFlash重要驱动力量。随着消费者对驾驶安全性、舒适性的需求不断提升,以及相关*策的推动,汽车智能化正迎来快速发展时期。ADAS作为汽车智能化变革中的一项关键技术,正成为推动汽车电子领域存储芯片增长的主要力量。在汽车系统中,从先进驾驶辅助系统到完全自动驾驶,复杂的汽车应用将更需要高容量的闪存,这对设计者而言,成本的考虑变得相对重要许多。NANDFlash成本具有优势,能够为较大容量车规闪存提供良好的解决方案。根据公司招股说明书援引自Gartner数据显示,年全球ADAS中的NANDFlash存储消费2.2亿GB,同比增长%。根据公司招股说明书援引自Gartner数据显示,由于智能汽车领域的快速发展,预计至年,全球ADAS领域的NANDFlash存储消费将达41.5亿GB,-年复合增速达79.8%。

以ADAS为主的智能汽车领域强劲需求提升NORFlash、NANDFlash成长空间。随着汽车电动化与智能化,电动汽车和智能驾驶发展迅猛,相应的辅助驾驶系统ADAS、电池管理系统等被广泛应用,汽车中配置的电子零组件占比越来越高。其中高容量NORFlash由于其XIP的特性及高可靠性等特点,在汽车电子中被广泛应用。

根据公司招股说明书援引IHS统计,年全球汽车电子的市场规模为亿美元,预计年将达到亿美元,年均复合增速为5.51%。其中ADAS板块年市场规模为70.88亿美元,年预计将达到.47亿美元。ADAS系统包含行车记录、智能导航、全景影像、车道偏移警示等功能,每一个系统普遍采用大容量NORFlash或SLCNANDFlash,汽车电子市场需求的快速增长也将带动车用存储器需求,叠加配套器件如行车记录仪等带动的需求,预计该领域将带动NORFlash、SLCNANDFlash保持10%以上的复合增长。年公司持续加大在车规级产品的开发。SLCNAND产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定,不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次,同时可在-40℃到℃的极端环境下保持数据有效性长达10年,产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。公司通过持续创新,不断更新迭代产品,持续微缩制程及提高良率,引领公司产品由消费级、工业级向车规级演进,技术持续引领大陆存储芯片产业。

4.公司优势

产品种类丰富,功能及性能形成优势,工艺制程国内先进

公司产品涵盖NAND、NOR、DRAM等主流存储芯片,工艺制程国内领先。公司凭借产品丰富、性能可靠、能耗节省等特点,多款代表公司先进技术水平的核心产品获得国内外多家知名企业的认可,在工艺制程和产品性能上形成一定优势。工艺制程方面,公司的NANDFlash已具备2xnm制程的量产能力,并拥有向1xnm制程进一步迈进的经验积累和技术储备;NORFlash可实现48nm制程量产。公司将针对闪存芯片制程升级开展研发和设计,继续向先进制程工艺推进。(报告来源:未来智库)

完善的研发体系及经验丰富人才团队

公司研发体系完善可靠,依托需求为导向打造高效研发平台。公司建立了以研发部为核心,多部门协同参与的研发体系,以市场实际需求为导向,结合技术动态、工艺特点、用户反馈、竞品分析等环节,形成最优的产品开发方案。公司基于研发团队多年对电路设计、工艺制造、封装测试等环节从业经历与经验,匹配对应的技术分析并将分析结果上传本地数据库,建立了可查询、可比对的产品研发平台,实现了研发资源的高效共享,缩短产品从设计到量产的研发周期。在研发平台系统下,公司根据不同产线与制程的工艺特点,通过大量数据分析及模拟验证,总结了不同工艺制程下产品设计的技术要点,建立了针对不同工艺制程的设计模块,为后续产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。

高度重视半导体领域研发管理人才,通过引进加培养模式建立了经验丰富、底蕴深厚的人才团队。集成电路设计属于技术密集型行业,人才是集成电路设计企业研发能力不断升级的基石。公司高度重视半导体领域尤其是研发和管理领域人才的培养,积极引进来自存储芯片先进产业地区和企业任职多年的资深人才,建立了经验丰富、底蕴深厚的人才团队。截至年12月31日,公司拥有研发与技术人员87人,占公司总人数的47.28%,多数曾在行业头部企业供职,具备丰富的研发经验和前瞻的战略眼光。公司的市场、运营等其他部门核心团队均拥有行业内知名公司多年的工作经历,具有丰富的产业经验和专业的管理能力。

稳定可靠的供应链体系

丰富的供应链管理经验,着力打造具有“本土深度、全球广度”的供应链体系。公司作为Fabless设计公司,注重建立稳定可靠的供应链体系,与国内外多家知名晶圆代工厂、封测厂建立互助、互利、互信的合作关系,积累了丰富的供应链管理经验,有效保证了供应链运转效率和产品质量,打造了具有“本土深度、全球广度”的供应链体系。与中芯国际深度战略合作,“从无到有”及不断提升制程,斩获多项“国内首创”。公司已经与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际建立战略合作关系,在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等全流程各环节形成了良好的交流与合作。双方在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上展开连续多年的深度技术合作,研发了多种涉及闪存芯片的标准工艺,提高了晶圆的产品良率和生产效率,继共同开发大陆第一条NANDFlash工艺产线后,目前已将NANDFlash工艺制程推进至19nm。公司与全球最大的存储芯片代工厂力积电建立了多年的紧密合作,在其多个存储芯片先进制程节点上实现了产品的稳定量产,进一步扩充了产品种类,提升了公司市场竞争力。

公司与多家封测厂商建立稳定合作关系,可靠保障供应链高效持续。在封装测试方面,公司已经与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、江阴长电、ATSemicon等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。公司与多家厂商构建了生态合作,提升公司存储产品性能认可度。公司与多家主控芯片平台厂商构建了生态合作,通过产品在平台厂商验证的方式,不仅提升公司存储产品性能和质量在行业内的认可程度,还有助于缩短公司产品在终端客户的导入时间。凭借在工艺制程及性能等方面出色的表现,公司产品不仅在高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商获得认证,形成了广泛的产品导入渠道,在很大程度上缩短了产品的验证周期,实现多类产品的销售协同。同时已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系,被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。

公司致力于为客户提供高效、优质的服务。一般情况下,客户需要进行烧录、板级测试、老化测试等步骤来认证公司产品,为确保产品的正常使用,公司搭建了高效服务体系,建立了专业的技术支持团队即时响应客户的服务需求,为客户有效运用公司产品提供了有力的保障。

自主清晰的知识产权

高度重视知识产权,公司目前持有覆盖主流存储芯片的境内外发明专利78项。知识产权作为集成电路设计的关键性技术成果,不仅是公司设计研发能力的重要体现,也是推动公司技术创新发展、产品迭代升级的重要基础。公司高度重视知识产权的自主性与完整性,经过多年持续不断的研发和创新,拥有多项发明专利,相关专利自主完整、权属清晰。公司目前持有覆盖主流存储芯片的境内外发明专利78项,为公司强大的技术升级和产品研发能力奠定了坚实基础。

(本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)

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