在半导体行业中，存储芯片行业一直以来都是由三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士霸占着几乎所有的市场份额。据研究机构数据分析，年，全球存储芯片市场的规模，预计将达到亿美元，较之前预估的年增加亿美元，同比增长将会达到21.7%。
而同样还有另外一份数据让人揪心，有数据统计，中国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上，但是国产厂商的存储产品则屈指可数。换句话说，就是多亿美元的存储芯片购买费用，我们要贡献一半以上，然而有时候，你掏钱人家还未必卖你。尤其是受疫情影响的这几年，在产能都受到限制的情况下，人家不光不卖你，还要坐地起价，可谓是被人拿捏得死死的。
长江存储
年4月，为了促进芯片产业的发展，湖北省*府和武汉市*府共同投资成立了武汉新芯，成立之初由中芯国际代管，计划做DRAM芯片。可中芯国际当时正处于和台积电的专利官司期间，一时间武汉新芯的产业发展进入滞后状态。
成立时的武汉新芯当时是想做DRAM的，但公司成立不久遭遇了DRAM的价格低谷周期，而不得不放弃DRAM的生产。于是，武汉新芯年9月开始为美国Spansion（飞索半导体）生产NANDFlash闪存，那个时候武汉新芯的技术水平还在65nm这个阶段。
好景不长，飞索半导体遭遇经济危机之后业绩一路下滑，武汉新芯在年订单量急剧下降，而不得不寻求出售。而当时，台积电、美国镁光、豪威都成为潜在合资对象，但由于国内业界的呼吁及武汉市对自主创新的坚持，最终放弃了合资计划。
当然合资未果还是带来了机会，那就是美国豪威的图像传感器（豪威，索尼和三星是手机摄像头的图像传感器芯片的高端三巨头）开始找武汉新芯生产制造，但新芯公司仍处于艰难地步。
于是年，中芯国际投资10亿美元最终控股武汉新芯。
但年，中芯国际的营收只有13.2亿美元，净利润为大幅亏损2.47亿美元，分别同比大幅下滑。因此，中芯国际的10亿美元注资计划实际上最后没有完成。最后，年，中芯国际退出了武汉新芯。
武汉新芯命运转机还是来自于年11月成立的国家集成电路大基金，这个基金推动中国先进集成电路产业发展。
年3月武汉新芯宣布，将投资亿美元在武汉打造一个世界级的半导体存储企业，集中精力研究生产NANDFLASH和DRAM。项目分三个阶段部署，第一家工厂专注NAND闪存生产，第二家工厂专注DRAM芯片生产，第三个阶段的设施将专为供应商服务。请注意，第一家工厂是做NANDFLASH的，正是长江存储是优先量产NANDFLASH产品。
年10月3DNAND闪存项目正式启动。
年6月9层3DNAND闪存测试芯片通过电气性能验证。
年7月32层3DNAND闪存测试芯片设计完成。
初登场：从零起步
所谓那里有压迫，那里就有反抗，在存储芯片极度依赖国外厂商的时候，年7月，紫光集团参与进来，各方在武汉新芯公司的基础上成立了长江存储公司并控股武汉新芯。
年7月，长江存储科技有限责任公司（“长江存储”）于武汉正式成立，长江存储是一家专注于3DNAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司，其产品广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。
年1月，紫光集团进一步宣布投资亿美元(约亿人民币)，在江苏南京投资建设半导体存储基地，一期投资亿美元，建成月产能10万片，主要是生产3DNANDFLASH(闪存)、DRAM存储芯片。而在年长江存储才研发出第一代32层的MLC产品，其实当时是严重落后于三星、SK海力士、美光等厂商的，毕竟这些厂商已经有几十年的历史，长江存储是完全从0开始。
崭露头角：技术提升
技术方面，长江存储面临的是和中芯国际一样的问题，就是先进技术决定着未来。为了获取技术，长江存储的前身武汉新芯曾和飞索半导体进行联合研发NANDFLASH，但飞索半导体现在已经被美国Cypress公司收购，成为全球NORFLASH领域的领头公司。但是不管是飞索半导体，还是Cypress，都不是NANDFLASH领域的先进厂家，这个市场是被三星，海力士，美光，东芝四巨头把持的。所以飞索半导体自身的NANDFLASH技术实力，还是无法和国际四大厂相比的。长江存储深知飞索半导体的技术实力不够，所以，长江存储除了和飞索半导体合作，主要是和国家队的中科院微电子研究所搞共同研发。
年2月，中科院微电子所发布的消息显示，双方共同研发的国产32层3DNANDFLASH芯片取得突破性进展。而年，三星实现96层NAND的量产。可以说，在年之前，长江存储成长速度虽然快，但还是跟在三星屁股后面的弟弟。不过到年时，长江存储搞了个弯道超车的机会，那就是推出了Xtacking技术，这个技术相当于一种3D技术，能够在同样的芯片面积内，塞进更多的晶体管，从而提高NAND闪存的容量等。
年8月7日，在美国加州圣克拉拉召开的闪存峰会上，长江存储发布了Xtacking技术，在闪存技术架构上成功实现突破性创新。传统的3DNAND芯片，通常是在同一片晶圆上，把存储单元和逻辑电路一并加工出来。随着层级不断叠加，外围逻辑电路的面积会越来越大，到更高层时，存储密度会大幅降低。Xtacking架构，则会将存储单元和逻辑电路在两片晶圆上分别加工，并各自选择最先进的制造工艺，用数百万根金属通道把两者“接通”。这样做的好处是，不但研发周期缩短三个月、生产周期缩短20%，闪存的最高存取速度更将大幅提升至DDR4内存的水平。而Xtacking架构的64层3DNANDFlash闪存，其存储密度能与其他厂商96层的相差无几。这意味着，长江在存储芯片领域已经闯出属于自己的道理，具有一定的竞争力。
开疆拓土：市场占有率稳步提升
年，长江存储推出了64层TLC技术。然而弯道超车在一次上演，转折发生在年，你三星不是量产了96层NAND吗，长江存储偏不不按照你的套路走，直接跳过96层，直奔层！这个大胆的决定，还真被长江存储给搞成了。年4月13日成功研发层QLC3Dnand。
年10月26日，全新的长江存储·致钛PCActive1TB版本在京东开启预售，并于年11月1日正式开放。年底，长江存储层NAND开始量产，与三星等国外大厂已经没有代差，达到了世界前沿水平！这就是中国速度！
到年时，长江存储的层堆叠的TLC产品全面量产，并获得了大量SSD厂商的支持，推出了相关的产品，比如海康威视、紫光、阿斯加特等等厂商。
而从测试的结果来看，使用长江存储层堆叠产品的SSD产品，毫不逊色于三星、SK海力士等同样层TCL的产品，性能水平基本一致。甚至连Techinsights的评测专家都表示，长江存储的层工艺在容量、位密度和I/O速度方面实现了行业领先的新标准。
年我国进口集成电路金额约为2.8万亿元，预计其中接近三分之一是存储芯片，也就是约多亿元。一旦长江存储能够顶上来，市场份额迅速扩大，想必接下来国内的存储芯片进口，会大大地减少了吧。
而通过长江存储，也可以证明，只要肯干，所谓的落后、起步晚都不是借口，在芯片领域中国企业一样可以追上全球巨头。
近日，知名半导体分析机构Trendforce发布了一份数据，表示在年，长江存储的闪存产品在全球的份额大约为4%左右。而到年，预计能够达到7%左右。
结束语
虽然我国的半导体行业还有很长的路要走，但至少已经有人已经在出发的路上了不是吗，至少在内存颗粒和闪存颗粒上，多一些长江存储这样的企业，对中国半导体行业和对中国消费者都是好事儿。