近日，中科院成功突破5nm激光光刻机技术。可是外界对它过度理解，使大家“自嗨”了一把。
首先，中科院能突破技术大家都应该值得高兴，但从论文再到商业是一个漫长的过程，背后需要半导体产业链的完善；其次，要明白激光光刻机不是中国最先进，只是大家觉得不需要荷兰的阿斯麦尔ASMLEUV光刻机了，中国“芯”就此解围，甚至超越；其三，激光光刻机能否用于芯片制造的工业环境，一直存在争议。
这里就第三点，具体讲解下。国内激光光刻形成的工艺级别也并非第一次突破，在年中科院就发表过实现11nm激光光刻机。一直不能应用于芯片制造的工业环境，是因为受光源波长稳定性、制造效率、制造精准性等多方面因素影响。
激光光刻机在芯片制造上大多数人认为只适合在小众领域，譬如实验环境，由于芯片设计方案经常需要改动，且激光光刻机无需掩模版，故很适合芯片研发环境使用。
大家之所以那么嗨，是错认为中科院发表的文章中提到实现量产5nm狭缝电极，就是芯片制造。其实，两者之间并不是同一个概念。半导体可分为分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类。狭缝电极属于分立器件，不属于芯片IC。
激光光刻机能不能用于工业环境制造芯片，目前大多数人都不看好。认为其与用曝光光刻和用印章方式不同，如用激光光刻芯片，其效率非常低。
此次，中科院发表《苏州纳米所联合国家纳米中心在超高精度激光光刻技术上取得重要进展》（中科院已删文）文中提到一小时能制备约5乘10的5次方的电极。也就是一小时制备50万个，一分钟约个。相对目前拥有60亿晶体管的芯片，一次曝光大约1、2秒钟。
我们把芯片简单理解成一张图，用EUV光刻机一次拍照成型，用激光光刻机按线路刻，哪个效率高不言而喻。
结语：
中科院突破激光刻机技术，可喜可贺。它的突破为我国激光光刻技术积累了经验，也为未来拓展到更多的半导体领域，并实现更多的应用提供了帮助。
至于能不能用于芯片工业环境制造，还是用科学、发展的眼光去看待问题。合不合适需要时间、科学、人才去验证。