CFM指出，长江存储目前以64层GbTLC的生产为主，生产良率在90%左右，而其层TLC仍处在产能和产量提升阶段，据估算其三季度收入市占比例已经超过1%，排名第七。
三季度中国NAND市场份额长江存储第七，根据CFM统计分析，长江存储其三季度收入市占比例已经超过1%，这是非常大的进度，明后年长江存储也将迎来飞速发展。最近，长江存储科技有限责任公司CEO杨士宁表示“长江存储研发和产品技术路线已与国际企业齐头并进！今年，长江存储的产值每年增加10倍！”。长江存储首次采用Xtacking构架技术，也是闪存技术从MLC、SLC向QLC发展的必然趋势，为了更高的存储密度，QLC在技术上明显是更先进的。
长江存储能取得今天的进度，就是长期坚持创新发展，走差异化的技术路线。在年，长江存储正式推出Xtacking技术，但在技术上始终与国际先进水平差一代距离，在市场上如果长期跟跑，那将是非常危险的。经过慎重考虑，长江存储做出了一个近乎疯狂的举措：决定直接跳过96层堆栈闪存的研发，直接向层的堆栈上探索。
不断经过技术上探索，在年4月，长江存储抢先推出层QLC3DNAND闪存芯片X2-，意味着长江存储的闪存芯片技术达到了全球一流的水准，实现了长期落后跟跑的状态向与世界先进企业并跑的局面。标志着我国正式突破了在3DNAND闪存技术，打破了3DNAND闪存关键技术一直掌握在美日韩等国手中的局面。
长江存储的前身是武汉新芯，在年，由紫光联合大基金联合在原来武汉新芯的基础上，正式成立长江存储。如果不进行创新，那未来是可以预见性的，长江存储从成立开始，就开始在技术创新之路，联合中科院微电子所对3D闪存芯片联合链接，经过一年的不断尝试，在年底长江存储正式率先推出国产化32层3DNAND闪存芯片。
尽管实现了闪存芯片从二维到三维的跨越，但同国际企业还是有差距的，年长江存储虽然正式展出32层3D闪存产品，但这并没有让长江存储停下来，而是抓紧时间尽快缩小同国际企业的差距，将研发重心集中在64层闪存技术上，很快在年长江存储宣布64层NAND闪存量产成功。
长江存储科技有限责任公司CEO杨士宁总结到，长江存储将继续以创新技术为底蕴，在创新这条道路上坚持走下去，有Xtacking平台的依托，公司在国际和国内方面的合作会更开放。“长江存储的研发走得太快了，领导要我走慢一点”杨世宁在会上笑谈到。最后，他谈到，长江存储近三年每年的产值要增加10倍，目前在这个趋势上突飞猛进。
闪存市场已差不多成熟了，竞争也异常激烈。面对海内外市场基本被垄断的情况，国产闪存芯片要想追赶上国际企业的脚步，甚至在激烈的市场中谋求一片属于自己的市场，必须要走自己的特色重新之路，重复的复制国际企业走过的路那主导是失败的。长江存储从成立之初就深刻意识到了这个问题，着手探索出新的路线。坚持不断创新发展，在年8月正式推出Xtacking架构，采用该架构闪存密度与业界96层差不多，该款产品是长江存储推出第一款闪存产品，虽然在技术上和先进的闪存芯片还有差距但在成本上却具有优势，从年三季度就实现规模化量产，这是长江存储在技术上实现的一大飞跃。
最近几年，是长江存储一直在寻找闪存市场的突围之路，在面对技术落后的情况下，如果不加快突围实现产品商业化那将是死路一条，所有长江存储在业界看来做出了一个近乎疯狂的决定：决定直接跳过96层堆栈闪存的研发，直接向层的堆栈上探索。
经过大量的研发投入，终于在年4月，长江存储抢先推出了层QLC3DNAND闪存芯片X2-。这标志着长江存储的技术已经处于全球一流的水准，下一步就是解决产能的问题。
1.采用Xtacking构架，相比较传统3DNAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度，可以看出Xtacking架构将外围电路置于存储单元之上，不占用芯片面积，同时提高了存储的密度。随着技术的进度，长江存储将推出层3DNAND技术，传统电路占用芯片面积或将达到50%以上，随着闪存技术的发展，Xtacking构架的优势就更加明显，在存储密度也更高。
2.采用Xtacking构架，采用最新工艺技术，把存储单元、外围电路分别在两片wafer上并行加工；外围电路可在一片晶圆上独立加工，负责数据I/O及记忆单元操作；存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工，这样的好处就是大大缩短了闪存的生产周期。
3.采用Xtacking构架，外围电路单独加工，与存储单元可以互相独立设计、生产，消除二者之间的设计、工艺牵制，这样最有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能，实现更高性能；
4.外围电路面积与存储单元面积几乎相等，远超过传统现有主流3DNAND架构的外围电路面积，相对来说外围电路晶体管密度可以比较低，可以使用老的成熟工艺节点，工艺难度、成本都不会太高。而采用创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA(VerticalInterconnectAccesses，垂直互联通道)将两片晶圆键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
对于长江存储选择从二维向三维集成为突破口，这样的决定是十分正确的。这也是集成电路的从二维向三维发展的必行趋势。长江存储跳过96层直接发展层，在业界看来可能还需要分两步走，但长江存储很快实现层闪存技术，让业界也为之惊讶，这也让长江存储在闪存技术赶上了时间先进水平。通过实验表明，这块闪存产品也将打破之前的产品应用的局限，率先用于消费级固态硬盘产品，之后将进入企业级服务器、数据中心领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求，进一步提高了长江存储在市场的竞争力。
经过3年的探索之路，与国际闪存巨头相比，长江存储用了短短三年的时间实现从32层到64层再到层的跨越，长江存储3年完成了他们6年走过的路。通过不断创新，长江存储也将加快脚步，将成为全球第7个闪存大厂，产品也将走出国内，迈上全球更大的市场舞台。同时，长江存储成立“Xtacking”商标生态联盟，已有20多家厂商和多款产品加入了这个生态圈，为市场的扩展打下了良好的基础。