虽然中国科技经过了十几年的发展与沉淀，在很多领域实现了领先与反超，但是也不得不承认的一个事实就是中国在某些核心技术领域的积累是不足的，比如华为如今面临的芯片断供，哈工大与哈工程被禁止使用Matlab软件这些问题，除了这些之外，其实中国在闪存芯片领域的发展也一直不是很好，所以国家在这方面也是投入了很多资金进行研发，终于皇天不负有心人，在烧了亿资金后，中国芯片巨头成功实现了技术突破！
长江存储在3DNAND闪存芯片后来居上
根据日本媒体《日经亚洲评论》的报道称，长江存储已经成功地实现了层的3DNAND闪存芯片的技术突破，预计最快今年6月左右就可以试产首批层的3DNAND闪存芯片，更是提到也有可能长江存储为了保证品质，这个计划也或许会延期到下半年，不过这个消息对于中国来说将会产生一个积极的信号。
为何长江存储在3DNAND上面的突破受到日媒的