台湾经济部技术处在SEMICONTaiwan展出33项创新技术，最吸睛的莫过于完成世界最快、被称为“梦幻内存”的SOT-MRAM数组芯片，完成0.4奈秒高速写入、7兆次读写之高耐受度，性能领先韩国大厂20%。
第三代SOT-MRAM数组芯片具有省电、读写快、尺寸做很小，属于“非挥发性内存技术”，断电时存储的资料不会消失。至于市面上DRAM是动态随机访问内存，当电流关掉后，存储的资料会全部消失，因此平时使用计算机时，必须用ROM（只读内存），将计算机资料、文件永久存储。
MRAM利用具高敏感度的磁电阻材料制造的内存，因读写速度快且可改写，未来适合车用市场、AI、高性能计算芯片甚至是量子计算机领域。此外，工研院自年开始研发，目前已完成第二代STT-MRAM以及第三代SOT-MRAM技术，打造台湾唯一磁性内存验证试量产平台与生态系统，也获美国国防部出资合作开发下一代磁性内存技术，未来可以集成成先进制程嵌入式内存。
（Source：工研院）
此外，工研院研发的“充电桩与车载充电器用碳化硅功率模块”，采用碳化硅功率半导体组件（SiCMOSFET）取代传统硅基功率半导体组件（SiIGBT）。该模块以优化设计与新封装制程导入，投入快速充电应用1,V碳化硅功率模块开发，可实现高电压低电流的V快充，比V系统减少一半的充电时间，同时使热阻值较国际大厂产品改善达20%以上，并简化系统散热设计，降低制造成本。
此外，工研院开发以X光为基础，穿透多层环绕闸极（Gate-all-around；GAA）结构，以原子级分辨率监控关键尺寸，满足测量前段制程纳米尺寸三维复杂结构需求，可测量纳米尺寸的三维复杂结构，协助企业进行2纳米的制程测量，测量时间缩短60%，为全世界速度最快的2纳米测量机台，将于近期衍生创业公司NanoSeeX，业界反应热烈，募集资金将增至新台币三亿元。
（Source：工研院）
同时，也展出全球首创可以3DLive直播互动的“即时裸视3D服务系统”、可以真人3DLive直播互动，并直接用AI去背，让图片即时变成3D，再与虚拟背景即时融合成像，整体运算约1秒完成，无需穿戴任何穿戴式设备即可看见3D图片，适合作为现场演唱会、广告看板和远程投影会议等用途。经济部技术处指出，目前已经跟许多企业合作，未来将与智能移动、展演合作展现。
（Source：科技新报）
最后是氮化镓射频高电子迁移率晶体管，具高频率、低功耗、高功率的特点，特别适用于射频（RF）领域，如5G射频设备、*用雷达、激光雷达Lidar等。工研院构建8英寸大面积氮化镓射频组件技术及平台，未来将以大尺寸芯片超高频组件制程，抢先布局下时代B5G/6G之庞大应用市场。
（首图来源：科技新报）