作者：DIGITIMES吴也行
凛冽寒风不能吹散“中国芯”的热情，1月22日风林火山—忆芯STARBLAZE新品发布会在黄浦江畔举行。
这是继年底，忆芯科技发布公司首颗SSD控制芯片——STAR后，忆芯再度祭出升级版新品——STARP，以期在国产芯中占据有利位置。
平地春雷到“风林火山”忆芯蜕变
此次发布会上，忆芯对外推出了第二代NVMeSSD控制器——STARP。据介绍，STARP，走PCIe3.0x4通道，支持NVMe1.3规范，可支持8个闪存通道、最大挂载32TB闪存容量，兼容市面主流的3DTLC/MLC。
性能方面，STARP实现了3.5GB/s和3.2GB/s的顺序读写以及KIOPS以上的随机读写性能，最低8us的写延迟，助力数据中心关键应用。STARP除支持国际AES加密标准以外，也全面支持中国商密(SM2/3/4)安全方案。此外，官方还强调了极佳的低功耗表现，号称在全性能模式下仅2W左右。
高级特性上，STARP采用忆芯科技第三代StarLDPC纠错码技术，同时此芯片增强了NVMePI，EEEC,In-lineECC等软错误处理技术，以满足工业及企业级高可靠性要
忆芯CEO沈飞忆芯CEO沈飞表示：“STARP正式研发始于年10月9日，其中包含了40名硬件工程师，经过个日夜，提交万行设计验证代码，解决了个JIRA和66项专利。终于在年7月16日正式流片，并于今天发布，将会在年4月份完成量产版本。”
而在此之前，忆芯已于年底推出了STARP的前身——国内首款商用NVMeSSD控芯片STAR。
其疾如风，其徐如林，侵掠如火，不动如山，本应应用在战场上的兵法此时拿来套用在忆芯的发布会，也毫无违和感。据沈飞介绍，“风林火山”分别对应忆芯发布的四款解决方案。
风：STARC，高性能、低功耗NVMe消费级解决方案；
林：OCSSD，基于定制化Open-Channel接口的数据中心解决方案；
火：STARE，低功耗、高性能NVMe企业级解决方案；
山：DeepSSD，赋能监控市场KV存储应用，有效加速数据聚类、分组计算。
从年的平地春雷到年的风林火山，从到P，沈飞表示：“我们已经实现从跟跑变成领跑，从配合客户开发，到如今带着完整的四大方案，完成了属于自己的蜕变。”
值得一提的是，据沈飞的透露，忆芯还将祭出“大招”——智能存储主控STAR。按照忆芯规划，STAR于年11月正式开始研发，计划年下半年开始流片。除了性能上的提升，顺序读性能7.2GB/s，随机读性能1.6MIOPS，STAR还集成多簇多核CPU，支持CNN硬件加速和NAND存内计算。”
存储芯片国产化之路能否吹响胜利号角？
国内一直处于“缺芯少魂”的尴尬境地，年的国产芯热潮并没有改变太多境况。据海关总署公布的数据，年全年，我国集成电路的进口额.58亿美元，同比增长19.8%。年Q1，中国存储芯片进口额达.72亿美元，同比猛增75.4%。
此外，大韩贸易投资振兴公社及半导体行业周四发布的数据显示，年中国存储芯片进口总额达.17亿美元，同比增长38.8%。中国是全球最大的存储芯片市场，国内总存储的消耗量占全球的50％，然而，根据政府发布的报告，国内自主开发的存储芯片市场份额几乎为零。
中国半导体行业协会常务副秘书长宫承和中国半导体行业协会常务副秘书长宫承和在发布会上也表示，现今国内半导体技术水平上高端、高性能、高可靠的芯片设计以及生产相对落后，整体上还需一定时间。
尽管存在一定的差距，但在受制于人多年后，国产存储芯也开始以新玩家的身份进入赛道。
目前，在闪存方面有紫光旗下的长江存储入局且进展顺利。年年底长江存储研发出32层64G的完全自主知识产权的3DNAND芯片；年底，32层3DNANDFLASH已经推出；按照紫光的计划，在年底前还将推出64层产品。此外，长江存储还对外公布了其全新的3DNAND架构Xtacking。
更值得一提的是，年12月，紫光存储与群联达成了战略合作协议。此次合作之后，未来有可能出现长江存储供应NAND闪存，群联提供主控，紫光存储做品牌，推出紫光自己的SSD产品。
而在主控芯片，作为国内SSD主控的重要玩家，联芸科技于年3月推出其首款支持3DNAND闪存颗粒的SSD主控器（MASX）实现量产；年5月推出的MASX系列SSD主控器可支持全球目前推出的所有已经量产3DNAND闪存颗粒。
尽管在半导体领域还与世界存在一定差距，但随着摩尔定律的放缓，人工智能还未形成标准，宫承和认为，国内半导体有可能实现弯道超车，“现在是一个好的追赶时间节点。”他表示，年是中国芯片蓬勃发展的一年，年也将会是“国产芯”创造新奇迹的一年。
忆芯CEO沈飞认为：“经过年存储颗粒价格飞涨，到年的下跌，该市场已经开始洗牌，我们希望更多公司能和我们一起在世界市场上大展身手。”