集微网消息，年全球最大规模的闪存峰会（FMS）于年8月7日美国硅谷圣塔克拉拉国际会展中心召开。开场第一天，“中国闪存发展和机会”专场论坛迎来了中国存储业界的再次集体亮相，展示中国闪存产业的发展状况和未来机会。在FMS连续六年举办的时间里，该论坛一直都是闪存峰会热点论坛之一。
论坛一开场，中国专场主席骆建军博士便对来自中国的各位专家们和全球各地的听众们表示热烈的欢迎。作为中国大陆闪存控制器的最早开拓者之一，骆建军博士是华澜微电子股份有限公司的CEO，也是杭州电子科技大学微电子研究中心教授，融合了工业界和学术界的经历和背景。他在现场表示，中国的市场机遇和闪存的发展是未来全球闪存市场发展的重要基石。作为全球最大的闪存应用市场，中国企业在闪存方面的应用能够为国际友商提供存储应用中参考的重点，通过不断的参与和互动，未来中国闪存能够带来更多新的应用方向和发展良机。
百易传媒（DOIT）创始人兼CEO郑信武发表了《闪存加速中国数字经济》的主题演讲。郑信武从现今中国存储产业专业会议的组织与召开情况开始讲起，围绕闪存技术全景图介绍了中国闪存市场的发展现状。他指出中国本土厂商占闪存厂商总数的三分之一，主要集中在产业链中下游，如SSD和存储组件，控制器和闪存存储系统等领域，但营收占比却不足20%。年将成为中国存储芯片产业的生产元年。以制造NANDFlash的长江存储，以及制造DRAM的合肥长鑫和福建晋华为主，三家企业芯片厂都将在明年竣工并投入量产，对全球DRAM与NANDFlash市场供给产生重大影响。
本场最重量级的嘉宾中科院刘明院士发表了《RRAM针对未来存储与计算应用的研究进展》的演讲。在过去60年中，计算性能提升了倍，刘明院士指出，我们面临摩尔定律逐渐失效，传统存储限制，冯诺依曼架构中内存性能瓶颈等带来的巨大挑战。在未来计算中，NVM将发挥重要作用，通过融合M(memory)/S(storage)简化内存体系结构，集成M（memory）/C（