（观察者网讯文/吕栋编辑/尹哲）
尽管关闭了最后一家手机工厂，但三星在华布局并未停歇。
据西安晚报12月11日报道，三星电子西安闪存芯片（NAND）项目二期第二阶段80亿美元（约合人民币亿元）投资10日正式启动。
报道称，二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。
据介绍，三星电子西安闪存芯片项目一期投资亿美元，建成存储芯片项目和封装测试项目。二期项目总投资亿美元，主要制造闪存芯片。其中，第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，年下半年竣工。
观察者网查询DRAMeXchange数据发现，年，三星占全球NAND市场份额的35%，其与美光和SK海力士等厂商几乎垄断市场供应。
中国首款64层3DNAND闪存9月量产
值得一提的是，今年9月2日，紫光集团旗下长江存储宣布，已开始量产基于Xtacking架构的64层GbTLC3DNAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
紫光集团称，这是中国首款64层3DNAND闪存，亦是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品。
科工力量专栏作者铁君曾在文中提到，由于中国企业在NANDFlash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微，且NANDFlash和DRAM被少数国际大厂所垄断，特别是韩国企业拥有非常高的市场份额，这直接导致存储芯片价格很容易受到垄断企业决策影响。
文章认为：“本次长江存储量产64层NAND，一定程度上缓解了三星、SK海力士、美光等公司的垄断局面，在当下的国际环境下，格外具有意义。”
据该文介绍，由于紫光的64层NAND性能逼近国际大厂的96层3DNAND，因而可以直接在商业市场与外商竞争。文章还提到，紫光或跳过96层NAND，直接研发层NAND，力争在技术上进一步缩短与外商的差距。但目前还未得到官方的证实。
“目前，长江存储只是技术上取得了突破，而且产能也比较有限。相对于三星、SK海力士、镁光、英特尔等国际大厂，无论在技术上，还是在市场份额上都有一定差距。长江存储在原材料、设备等方面对外商有较大依赖，在实现不被卡脖子方面依然任重道远”。
据业界传言，年底，长江存储产能有望提升至月产6万片晶圆的规模。