当前，半导体产业可谓风云诡谲，全球市场正遭遇一场越演越烈的芯片短缺危机，而且短期内，芯片供不应求的情况基本无解。一时间，业内似乎也已达成了一项共识——得产能者得天下。芯片制造厂商纷纷扩充产能，唯恐落后。
1，韩国厂商抢着要EUV光刻机，并用于生产存储器芯片，在技术上占够先发优势
半导体产业链下游厂商们扩产情绪高涨，半导体上游设备、材料自然也迎来加速增长期，EUV（极紫外）光刻机是芯片制造必不可少的一类关键性生产设备、并且在技术上是全球最领先，近来正成为“兵家必争之地”。当然了，全球只有荷兰ASML一家半导体设备厂商能够供货EUV光刻机。所以，ASML一举一动往往都格外引人注意。
日前，据韩国媒体BusinessKorea报道，韩国产业通商资源部于5月13日宣布，ASML计划在韩国建设一座光刻设备再制造工厂及一家培训中心，主要用途是为韩国当地运行EUV光刻机的维护和升级提供助力，新厂预计在年建设完成，投资金额为亿韩元，约合13.7亿人民币。
有必要指出的是，所谓再制造，是指以旧机器设备为毛坯，采用专门工艺和技术，在原有制造基础上进行一次新制造；而且重新制造出来的产品，无论是性能还是质量都不亚于原先新品。
业内人士认为，ASML与韩国客户之间的业务关系也将从此次投资得以加强。此前，韩国发布半导体强国建设战略规划，将半导体研发税额抵扣率提升至40~50%，并且还将投入多达亿美元建设全球最大芯片制造基地，目标在年成为全球综合半导体强国。
韩国想跻身芯片大国+强国的行列意图不言而喻，此次ASML赴韩国建厂，业界预期，将给韩国半导体建设进程提供助力。此外，因ASML在高端EUV光刻机市场占有绝对垄断地位，而存储芯片业务作为韩国半导体支柱性产业之一，ASML在地建厂也将利于三星和SK海力士扩充产能。
此前，EUV光刻机设备主要用于逻辑芯片代工，但随着三星在年将EUV光刻机导入第一代10纳米级（1x）DRAM存储器芯片量产的举动，标志着DRAM存储器芯片进入EUV时代。除此以外，三星还计划将在年大量生产基于第四代10纳米（1a）EUV工艺的16GbDDR5/LPDDR5。
据业界消息，三星继年确保10台左右EUV光刻机设备后，年或将追加引进10台。其中，年用于DRAM存储器制造工艺的设备为3台，年计划增加3台，共计6台。年DRAM用EUV设备数量比上一年增长1倍，预计年也将保持6台以上设备。
无独有偶，SK海力士也在利川新厂M16引进了2台EUV光刻机，并且预计从年下半年开始生产第四代10纳米级（1a）DRAM存储器。
值得