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财联社（上海，研究员姚辉）讯，国家存储器基地项目二期开工，规划产能20万片/月，半导体国产替代有望加速，相关概念股站上风口。
《科创板日报》记者获悉，6月20日，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。据紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍，国家存储器基地项目于年12月30日开工，计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂，总投资亿美元。其中一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能，二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。
东吴证券王平阳指出，目前我国在存储产业链的设计、制造、设备、封测等多个环节逐步突破，以长江存储、合肥长鑫为代表的本土存储器厂商在产品技术和市场拓展方面的不断突破，本土主流存储器产业链投资机遇凸显。
存储器在半导体领域中单项市场规模最大，且行业集中度极高。根据WSTS统计，存储器占集成电路市场的36.1%，高于逻辑、模拟和微处理器份额。DRAM是存储器最大细分市场，占比为53%，NANDFlash占44%，NorFlash仅占1%。DRAM领域呈现寡头垄断格局，三星、海力士、镁美光三家占比高达95%，存储器国产化迫在眉睫。
近日，基于二季度数据，SEMI（国际半导体产业协会）调整年全球晶圆厂设备开支规模的预测值，由此前预估的亿美元上调至创纪录的亿美元，预计同比增长率为24%。其中，存储器工厂的设备开支规模最大，预计达到亿美元。
国信证券欧阳仕华指出，存储器产业从趋势上看，DRAM和NAND均处于技术快速突破阶段，预计下半年DRAM1Z制程以及NAND新代产品将会量产。国产内存颗粒生产的内存模组产品已经开始上市销售，显示国内存储芯片产业正处于0到1的突破阶段。
东莞证券魏红梅认为，5G手机换机潮和IDC建设升级对存储设备所形成的需求端具有较高确定性，有望带动NANDFlash需求迎来新一轮增长。
概念股解读：
兆易创新：拟定增募资不超过43.24亿元，用于DRAM芯片研发项目及补充流动资金，项目实施后将成为国内首家覆盖全存储产品线设计能力的芯片企业。公司是全球领先的存储器芯片供应商，公司联合合肥长鑫积极布局DRAM领域，为DRAM国产化保驾护航。
深科技：全资子公司沛顿科技是国内最大的高端DRAM封测企业，客户包括全球第一大独立内存制造商金士顿、希捷、西部数据等，是国内具有从集成电路高端DRAM/Flash晶圆封测到模组、成品生产完整产业链的企业。
北京君正：收购的北京硅成（ISSI）的SRAM和DRAM产品收入分别居全球第2、第7。
紫光国微：DRAM存储器芯片和内存模组已经形成完整的产品系列，在服务器、PC、机顶盒、电视机等方面的出货稳步增加，进一步强化了国产DRAM存储器供应商的领导地位。存储器芯片设计服务业务客户涵盖美国、日本和台湾地区的知名半导体公司，测试服务能力也达到了世界主流水平。
万业企业：6月16日晚间回复交易所问询称，国内重要的12英寸晶圆芯片制造厂及存储器芯片设计制造厂已对万业企业旗下凯世通集成电路离子注入设备启动认证程序，万业企业集成电路前道装备业务获得巨大突破。
太极实业：子公司海太半导体从事DRAM芯片封测业务，主要为海力士的DRAM产品提供后工序服务。
华天科技：具备LPDDR4存储4叠层封装等高端存储器封装技术，并与武汉新芯达成深度合作。实现了NorFlash、3DNAND、DRAM产品的批量封装，客户包括长江存储。
朗科科技：主营闪存应用及移动存储产品的研发、生产，公司产品已形成闪存盘、移动硬盘、固态硬盘、控制芯片、闪存模块及解决方案等多产品系列。
深康佳A：公司持股51%的康芯威公司主要从事存储器主控芯片的设计和销售。康芯威公司将争取在年销售存储主控芯片1亿颗。
通富微电：作为合肥长鑫核心封装厂，未来有望受益于相关产品的持续放量。
国科微：年固态存储系列芯片营收占比48.5%，搭载公司自主知识产权的高性能SSD主控芯片GK系列固态硬盘产品已向联想、浪潮等国内主流整机企业导入。公司与长江存储在湖南长沙签署长期供货协议，达成战略合作伙伴关系
亚翔集成：是存储器晶圆、氮化镓等半导体高端洁净室行业领先企业。
至纯科技：高纯工艺系统业务客户包括长鑫存储，已产生销售收入。
精测电子：子公司上海精测半导体技术有限公司中标长江存储的3台集成式膜厚光学关键尺寸量测仪（第36批）。
中微公司：电感式（ICP）刻蚀设备正在加速技术提升，已经在多个逻辑芯片、存储芯片厂商的生产线上量产。
此外，《科创板日报》曾于6月4日从供应链独家获悉，紫光集团旗下长江存储64层固态硬盘预计将于今年三季度上市，这意味着长江存储在良率和产能方面取得了具有商业价值的实质进展，相关合作公司值得